本月中旬,在日本東京舉辦了ITF論壇。論壇上,與ASML(阿斯麥)合作研發(fā)光刻機的比利時半導(dǎo)體研究機構(gòu)IMEC公布了3nm及以下制程的在微縮層面技術(shù)細節(jié)。
至少就目前而言,ASML對于3m、2nm、1．5nm、1nm甚至Sub 1nm都做了清晰的路線規(guī)劃,且1nm時代的光刻機體積將增大不少。
▲IMEC的邏輯器件小型化路線圖
據(jù)稱在當前臺積電、三星的7nm、5nm制造中已經(jīng)引入了NA=0．33的EUV曝光設(shè)備,2nm之后需要更高分辨率的曝光設(shè)備,也就是NA=0．55。好在ASML已經(jīng)完成了0．55NA曝光設(shè)備的基本設(shè)計(即NXE:5000系列),預(yù)計在2022年實現(xiàn)商業(yè)化。
至于上文提到的尺寸為何大幅增加就是光學(xué)器件增大所致,潔凈室指標也達到天花板。
阿斯麥目前在售的兩款極紫外光刻機分別是TWINSCAN NXE:3400B和TWINSCAN NXE:3400C,3600D計劃明年年中出貨,生產(chǎn)效率將提升18%。
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