據Anandtech報道，SK hynix日前發布了其最新一代的3D NAND。據介紹，新產品具有176層電荷charge trap單元。在美光宣布他們的176L NAND開始以Crucial品牌產品發貨之后，SK hynix是第二家達到這一層數的NAND制造商。
這是SK hynix的第三代產品，其PUC（Periphery under Cell）設計的特點是通過在存儲器單元陣列下放置外圍邏輯來減小芯片尺寸，類似于英特爾和美光的CMOS下陣列設計。（SK hynix將這種管芯布局及其charge trap閃存單元的組合稱為“ 4D NAND”。）這一代的變化包括位生產率提高了35％（僅比理論上從128層增長到176層時的值稍低），單元讀取速度提高20％。NANDdie和SSD控制器之間的最大IO速度已從128L NAND的1.2GT / s增加到176L NAND的1.6GT / s。
SK海力士已開始向SSD控制器公司提供512Gbit TLC部件的樣品，以開發兼容的固件。SK hynix計劃首先將其176L NAND用于移動產品（即UFS模塊），該產品將在明年中期左右推出，其讀取速度提高70％，寫入速度提高35％。然后，消費者和企業級固態硬盤將跟進移動產品。SK海力士還計劃基于其176L工藝推出1Tbit模具。
根據該公告，SK hynix在即將到來的3D NAND時代將具有相當的競爭力。它們的運行時間可能比美光的計劃稍晚一些，但美光將其128升的產品用作小容量測試工具之后，一直在尋求異常快速的過渡到176升，以解決因從floating gate轉換為charge trap設計而引起的任何問題。
同時，英特爾的144L NAND芯片將于明年年初上市，而Kioxia / Western Digital 112L NAND芯片也將隨時出現。三星的128L NAND幾個月前開始在980 PRO中發貨。雖然他們尚未正式宣布其下一代規格，但預計明年春季將開始生產，其層數約為176L，并將成為三星的首款使用string stacking的技術的產品。
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據美媒Anandtech報道，美光日前宣布了其第五代3D NAND閃存，新一代產品擁有破紀錄的176層構造。報道指出，新型176L閃存是自美光與英特爾的存儲器合作解散以來推出的第二代產品，此后美光從浮柵（ floating-gate）存儲單元設計轉變為電荷陷阱（charge-trap）單元。
美光公司的上一代3D NAND采用的是128層設計，這是它們的短暫過渡節點，可幫助他們解決向陷阱閃存切換碰到的任何問題。美光的128L閃存在市場上的占有率極低，因此在許多情況下，他們的新型176L閃存也將替代其96L 3D NAND。
根據報道，美光并沒有披露其176L NAND的更多技術細節。但就目前而言，我們知道他們的第一個176L部件是使用兩個88層平臺的字符串堆疊（string stacking ）構建的512Gbit TLC芯片，就可以制造多少層NAND閃存單元而言，美光現在似乎僅次于三星。
報道進一步指出，在使用電荷陷阱單元設計替代柵極設計之后，美光似乎已大大降低了閃存每一層的厚度。數據顯示，176L裸片的厚度僅為45μm，總厚度與美光公司的64L浮柵3D NAND相同。
而一個16 die堆疊式封裝的厚度不到1.5mm，這適合大多數移動和存儲卡使用場景。與上一代的Micron 3D NAND一樣，芯片的外圍邏輯大部分是在NAND存儲單元堆棧下制造的，Micron將該技術稱為“CMOS under Array”（CuA）。這幫助美光帶來了一些最小的裸片尺寸，美光估計他們的176L 512Gbit裸片比其競爭對手目前提供的最佳裸片小約30％。
從報道我們還可以看到，美光的176L NAND支持的接口速度為1600MT / s，高于其96L和128L閃存的1200MT / s。比其他解決方案高33％。就容量而言，176層管芯可以容納20-30小時的1920x1080p視頻。
與96L NAND相比，讀（寫）延遲改善了35％以上，與128L NAND相比，改善了25％以上。與使用96L NAND的UFS 3.1模塊相比，美光科技的總體混合工作負載改善了約15％。
美光公司的176L 3D NAND目前其新加坡工廠制造，并已經開始批量生產，并且已經在一些Crucial品牌的消費類SSD產品中發貨。但是，美光尚未說明哪些特定Crucial產品現在正在使用176L NAND（就此而言，則使用其128L NAND），因此我們希望目前這是一個相當小批量的產品。
盡管如此，在明年，我們應該能看到美光176L NAND的產量提高到比其128L工藝所能達到的更高的水平，并且我們可以期望發布基于此176L NAND的各種各樣的產品，并取代大多數使用其96L NAND的產品。
美光方面表示，公司的176層NAND具有里程碑式的意義，這有幾個原因。一方面，該技術的密度是早期3D NAND設計的近10倍，這就意味著智能手機可以做更多的事情，可以存儲更多的東西；其次，對于更多的人來說價格甚至更低，從而改善了他們的日常生活。
他們進一步支持，這種新型176層器件不僅比以前的器件密度更高，而且還通過創新的電路設計融合了業界最高的數據傳輸速率。美光公司的工程師設計并建造了這種超高密度存儲，同時對NAND進行了重大的架構更改，這將使下游設備的創新在未來數年內得以實現。