11 月 12 日消息，集邦咨詢 Trendforce 昨日（11 月 11 日）發布博文，報道稱“HBM 之父”金正浩預測，AI 時代的權力正從 GPU 轉向內存，高帶寬閃存（HBF）將成為繼 HBM 之后的新戰場。
IT之家注：金正浩是韓國科學技術院（KAIST）電氣工程學系的教授，他被廣泛認為是將高帶寬內存（High Bandwidth Memory，HBM）從概念變為現實的關鍵人物。
在 HBM 相關的多項關鍵技術領域，他做出了全球認可的創新研究，包括硅通孔（TSV）、中介層（interposer）、信號線設計（SI）和電源線設計（PI）。
在做客 YouTube 頻道節目中，金正浩語出驚人：“在 AI 時代，權力天平正從 GPU 轉向內存?！彼J為，內存將在人工智能時代扮演愈發關鍵的角色，甚至預測英偉達未來可能收購一家內存公司。
此外，他還強調了高帶寬閃存（High Bandwidth Flash，HBF）的崛起，預計該技術將在 2026 年初取得新進展，并于 2027 至 2028 年間正式亮相。
隨著傳統硬盤（HDD）行業艱難地向高成本的熱輔助磁記錄（HAMR）技術轉型，近線固態硬盤（Nearline SSD）正憑借其成本效益成為熱門替代方案。
與此同時，HBF 被視為突破 AI 集群存儲容量瓶頸的關鍵技術。在 AI 推理時代，內存容量變得至關重要，其中鍵值緩存（KV Caching）等技術直接影響 AI 模型的響應速度。因此，金正浩相信 HBF 將與 HBM 并駕齊驅，成為下一代主流內存技術。
從概念上看，HBF 與 HBM 有相似之處，兩者都利用硅通孔（TSV）技術來垂直堆疊多層芯片。但不同的是，HBF 基于 NAND 閃存構建，因此在容量和成本上具備顯著優勢。
金正浩強調，盡管 NAND 閃存速度慢于 DRAM，但其容量可超過后者 10 倍。通過堆疊成百上千層，HBF 能夠滿足 AI 模型的巨大存儲需求，堪稱“HBM 的 NAND 版本”。
行業巨頭已迅速行動。SanDisk 與 SK 海力士已于 2025 年 8 月簽署諒解備忘錄（MoU），旨在共同制定 HBF 技術規范并推動標準化。他們的目標是在 2026 年下半年發布 HBF 內存樣品，首批采用 HBF 的 AI 推理系統預計于 2027 年初問世。
值得注意的是，在 10 月中旬舉行的 2025 年 OCP 全球峰會上，SK 海力士已率先展示了其全新的“AIN Family”存儲產品系列，其中就包括采用 HBF 技術的 AIN B 系列。
三星電子也已啟動自有 HBF 產品的早期概念設計工作，希望利用其在高性能存儲領域的研發經驗，滿足數據中心對高帶寬閃存日益增長的需求。不過，該項目尚處初期階段，具體規格和量產時間表均未最終確定。
展望未來，金正浩將 AI 的多層級內存體系比作一個智能圖書館：
GPU 內的 SRAM 是桌面筆記，速度最快但容量最??；
HBM 是旁邊的書架，用于快速存取和計算；
而 HBF 則是地下書庫，負責存儲海量 AI 知識并持續為 HBM 輸送數據。
他預測，未來 GPU 將同時集成 HBM 與 HBF，形成互補配置，標志著計算與存儲融合的新紀元。
