華為將又一次出手投資半導(dǎo)體企業(yè)，這次瞄準(zhǔn)的是一家砷化鎵及磷化銦襯底生產(chǎn)商。

12月10日，云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司（以下簡稱“云南鍺業(yè)”）公告披露，公司董事會同意控股子公司云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司（以下簡稱“鑫耀半導(dǎo)體”）接受哈勃科技投資有限公司（以下簡稱“哈勃科技”）以貨幣方式向其增資人民幣3000萬元，出資額折合注冊資本3000萬元，云南鍺業(yè)放棄對此次新增注冊資本的優(yōu)先認(rèn)繳出資權(quán)。

公告指出，作為鑫耀半導(dǎo)體公司股東，云南鍺業(yè)對上述增資享有在同等條件下的優(yōu)先認(rèn)繳出資權(quán)。鑒于哈勃科技關(guān)聯(lián)方系鑫耀半導(dǎo)體下游企業(yè)，引入哈勃科技有利于今后加強(qiáng)與下游客戶的溝通與協(xié)作，促進(jìn)其產(chǎn)品質(zhì)量的提升和推動其市場開拓工作，符合全體股東利益，云南鍺業(yè)同意放棄優(yōu)先認(rèn)繳出資權(quán)。

資料顯示，鑫耀半導(dǎo)體成立于2013年9月，注冊資本9547萬元，經(jīng)營范圍包括：半導(dǎo)體材料銷售；貨物及技術(shù)進(jìn)出口業(yè)務(wù)；半導(dǎo)體生產(chǎn)（限分公司經(jīng)營）等。

云南鍺業(yè)官網(wǎng)介紹稱，鑫耀半導(dǎo)體立志于成為質(zhì)量穩(wěn)定產(chǎn)品可靠的III-V族半導(dǎo)體襯底生產(chǎn)企業(yè)，目前負(fù)責(zé)在云南國家鍺材料基地建成一條年產(chǎn)砷化鎵拋光晶片 30萬片4英寸（或12萬片6英寸）的單晶材料生產(chǎn)線以及一條年產(chǎn)5萬片磷化銦襯底生產(chǎn)線。

根據(jù)公告，哈勃科技與鑫耀半導(dǎo)體及現(xiàn)有股東等各方簽署了增資協(xié)議，哈勃科技以貨幣方式向鑫耀半導(dǎo)體出資3000萬元，全部增資價款均計入鑫耀半導(dǎo)體的注冊資本；鑫耀半導(dǎo)體接受哈勃科技的該等出資，并將其注冊資本從9547萬元增加到12547萬元。哈勃科技有權(quán)且無需取得其他各方同意，指定其關(guān)聯(lián)方替代哈勃科技完成本次增資。

本次增資前，鑫耀半導(dǎo)體的股權(quán)結(jié)構(gòu)為：云南鍺業(yè)持股70%、朱蓉輝持股15.71%、權(quán)以高持股14.29%；本次增資完成后，鑫耀半導(dǎo)體的股權(quán)結(jié)構(gòu)為：云南鍺業(yè)持股53.26%、哈勃科技持股23.91%、朱蓉輝持股11.96%、權(quán)以高持股10.87%。增資完成后，云南鍺業(yè)仍為鑫耀半導(dǎo)體控股股東，仍保持對鑫耀半導(dǎo)體的實際控制權(quán)。

來源：云南鍺業(yè)公告截圖

公告指出，鑫耀半導(dǎo)體是專業(yè)從事半導(dǎo)體材料砷化鎵及磷化銦襯底（單晶片）生產(chǎn)的企業(yè)，哈勃科技關(guān)聯(lián)方中有專業(yè)的半導(dǎo)體芯片廠商，公司本次接受哈勃科技的增資主要目的是為了加強(qiáng)與下游廠商的溝通與協(xié)作，有利于鑫耀半導(dǎo)體產(chǎn)品質(zhì)量的提升和推動其市場開拓工作，鑫耀半導(dǎo)體將向哈勃科技關(guān)聯(lián)方提供砷化鎵及磷化銦襯底，并保障供應(yīng)，對方則通過對相關(guān)產(chǎn)品的實際應(yīng)用為鑫耀半導(dǎo)體提供技術(shù)及產(chǎn)品驗證上的反饋。

哈勃科技成立于2019年4月，是華為投資控股有限公司旗下全資子公司。作為華為旗下投資平臺，哈勃科技自成立以來已投資了多家半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)，其中包括三家第三代半導(dǎo)體材料企業(yè)山東天岳、天科合達(dá)、瀚天天成。如今擬增資鑫耀半導(dǎo)體，哈勃科技的投資版圖上將再添一家半導(dǎo)體材料企業(yè)。