| FinFET器件結構發展綜述 | |
| 所屬分類：技術論文 | |
| 上傳者：aetmagazine | |
| 文檔大?。?span>746 K | |
| 標簽： 場效應晶體管 FinFET 器件結構 | |
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| 文檔介紹：隨著集成電路技術日新月異的發展，器件尺寸不斷縮小，當場效應晶體管溝道縮短至22 nm以后，傳統平面場效應晶體管不再滿足發展的需求。FinFET是一種新型的三維器件，由于良好的性能目前被廣泛研究應用。主要介紹了FinFET器件的基礎結構以及基礎工藝流程，以及在基礎結構上所發展起來的一些改良后的FinFET器件結構。最后結合實際對未來FinFET器件結構的發展寄予展望。 | |
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