在本月初，美光公布了截止到12月3日的2021財年第一季度財報。財報顯示，公司在本季度的收入達到57.7億美元，同比增長12％。在凈收入方面則同比增長63.5％到8.03億美元。據美光總裁兼首席執行官Sanjay Mehrotra在財報會上所說：“內存和存儲行業的營收增長速度超過了整個半導體行業，從2000年初的約10％增長到現在的近30％。”
美光執行副總裁兼首席商務官Sumit Sadana 先生在日前的一場媒體會上也告訴半導體行業觀察記者，展望下一個十年，我們可以看到半導體產業的增長將會比全球的GDP增長更快。尤其是在包括DRAM和NAND Flash在內的存儲產業，這個成長需求將會更高。這主要得益于類似云、邊緣智能、5G基礎設施、工業物聯網和智聯汽車在內的新趨勢帶來的推動。
2021年的全球存儲市場預測
“這將給美光創造很多新的機會”，Sumit Sadana補充說。
廣泛的產品布局
眾所周知，美光是一個以存儲技術聞名的企業，尤其是DRAM產品，更是美光得以傲視存儲市場的重要倚仗。根據公司最新一季的財報，DRAM貢獻了70％左右的營收（約40.56億美元），當中不但包括了大家廣為熟悉的DDR和LPDDR產品，并推出了類似LPDDR5這些 新產品外。美光還有HBM2E和GDDR等技術，其中最近針對AI和GPU對高帶寬需求而推出的GDDR6X更是創下了記錄。
2020年9月，美光與圖形計算技術領導者 NVIDIA 合作，首次在全新的 NVIDIA GeForce RTX 3090 和 GeForce RTX 3080 圖形處理器（GPU）中搭載了GDDR6X。據美光介紹，自 2006 年起，公司的工程師和研究人員已開始探索在內存接口應用多級信號技術。在申請了 45 項專利后，美光率先在內存中應用 PAM4，為下一代圖形內存樹立了新標桿。
美光表示，通過采用 PAM4 多級信號技術，他們的GDDR6X實現了更快的數據傳輸，輸入/輸出 （I/O） 數據速率提升了一倍。從他們的介紹我們得知，此前，顯存帶寬最高可達 64 GB/s，傳統二進制標準依賴兩級信號傳輸編碼為 1s 或 0s 的數據，每周期可傳輸一位數據。而美光新型的 PAM4 技術采用四個不同層級，同時向內存輸入及輸出兩位數據。由此，美光的 GDDR6X 將單顆粒的內存帶寬顯著提升至 84 GB/s，從而使系統帶寬提升為之前無法想象的1 TB/s。
此外，GDDR6X實現了更低的單任務能耗 （pJ/bit），通過更快的速度和更低的功耗，滿足游戲和其他高帶寬圖形應用等高能耗工作負載。GDDR6X 還具有調整功耗高低的功能用戶可調低性能節省能耗。
NAND Flash則是美光第二大營收來源，財報顯示，來自這個業務部門的營收在公司總營收中占比27%（約15.74億美元）。這主要得益于公司在QLC NAND方面布局。而這又是美光存儲的另一個“殺手锏”。
熟悉存儲產業的讀者應該知道，NAND Flash有四種架構，分別是SLC，MLC，TLC和QLC，分別代表一個存儲單元里里可存放1、2、3和4位元的數據。其中LC儲存單元中儲存的更多的元數據，消費者可以用更低的 價格獲得更多的容量！但代價是降低效能和壽命，為此當前大多數閃存公司都是選用TLC。但美光表示，公司先進的QLC技術，克服了SSD成本過高的問題，保留了強大效能，無論是實時分析，機器學習或人工智能應用，QLC NAND都將成為最得力助力。
財務數據顯示，在2020年第二財季，美光QLC SSD的位出貨量環比增長60％，當中相當一部分消費類SSD現在采用QLC技術發貨。由此可以看到美光的QLC NAND Flash技術在市場上的認可度的提升。
除了以上兩種產品外，美光還有3D XPoint的布局。按照美光所說，他們是市場上唯一同時擁有DRAM、NAND Flash和3D Xpoint存儲產品線的企業。所謂3D XPoint，是一項旨在填補動態DRAM和 NAND 閃存之間的存儲市場空白的技術。
2019年10月 ，美光終于推出號稱世界上最快的SSD--美光X100 SSD，這是3D XPoin技術在非易失性存儲器領域的突破。按照他們介紹，這個產品在當時擁有高性能本地存儲、業界最高的帶寬、超低延遲、應用程序加速、小型存儲中的高性能和易于采用等特性。雖然這個產品的銷售并不盡如人意，但從多方消息看來，美光會繼續在上面進行投入，將其拓寬到更多的領域。
在存儲方面，美光還有Nor Flash等技術，這些高性能的產品被應用到了汽車等多個領域，而為了保護客戶的安全，美光還提供了業界領先的安全技術。如由美光所提供的Authenta技術，可以讓美光與生態體系的不同伙伴一起合作，是的設備在大規模部署出去的時候，都是安全的，不會受到黑客或者是網絡安全、網絡威脅相關事情的影響。
新存儲技術亮相
能在存儲領域保持多年的領先地位，深厚的技術積累和因應市場需求推出高性價比的產品在其中發揮了重要的作用，例如最近，美光推出的全新NAND Flash和DRAM技術，就為他們迎來數據爆發新時代做好了準備。
首先看NAND Flash方面。正如很多文章里所說，為了提升NAND Flash的存儲密度，在過去多年里，行業廠商已經從2D NAND走向了3D NAND，并在最近幾年的發展中，將3D NAND Flash的層數和密度進一步提升。在2020年11月，美光宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存，這又一次刷新了行業的記錄。
據介紹，該款 176 層 NAND 產品采用美光第五代 3D NAND 技術和第二代替換柵極架構，是市場上最先進的 NAND 技術節點。與美光的上一代大容量 3D NAND 產品相比，176 層 NAND 將數據讀取和寫入延遲縮短了 35% 以上，極大地提高了應用的性能。（對比數據基于美光大容量浮動柵極 96 層 NAND。如對比 128 層替換柵極 NAND，美光 176 層 NAND產品的數據讀取和寫入延遲均降低 25% 以上）。因為采用緊湊型的設計，美光176 層 NAND的 裸片尺寸比市場最接近同類產品縮小近 30%，是滿足小尺寸應用需求的理想解決方案。
美光技術與產品執行副總裁 Scott DeBoer 則指出：“美光的 176 層 NAND 樹立了閃存行業的新標桿，與最接近的競爭對手同類產品相比，堆疊層數多出近 40%。結合美光的 CMOS 陣列下 （CMOS-under-array） 架構，該項技術幫助美光繼續在成本方面保持行業領先優勢。”
與此同時，同時，美光還將 NAND 單元技術從傳統的浮動柵極過渡到電荷捕獲，提高了未來 NAND 的可擴展性和性能。除了電荷捕獲技術，美光還采用了替換柵極架構，利用其中的高導電性金屬字線取代硅層，實現了出類拔萃的 3D NAND 性能。采用該技術后，讓美光將大幅度降低成本，繼續領跑業界。
其次再看DRAM方面，為了進一步提升其密度、功耗和性能，美光領先于業界推出了 1α DRAM制程技術。
據介紹，美光的1α節點繼續使用6F2位線設計。但公司已經實施了許多創新，以采用最新的制造工藝來縮小其DRAM。從數據來看，如上圖所示，對比其上一代的 1z DRAM 制程，美光1α 技術將內存密度提升了 40%，還能使內存解決方案更節能、更可靠，并為需要最佳低功耗 DRAM 產品的移動平臺帶來運行速度更快的 LPDDR5。據美光方面透露，1α 技術能為移動行業提供最低功耗的 DRAM 平臺，實現了 15% 的節能，使 5G 用戶在不犧牲續航的同時能在手機上進行更多任務操作。
美光及貿易部指出，1α 先進內存節點提供 8Gb 至 16Gb 的密度，將助力美光現有的 DDR4 和 LPDDR4 系列產品延長生命周期，并能為美光在服務器、客戶端、網絡和嵌入式領域的客戶提供更低功耗、更可靠的產品及更全面的產品支持，從而降低客戶再次驗證的成本。對于具備較長產品生命周期的汽車嵌入式解決方案、工業 PC 和邊緣服務器等應用場景而言，美光的1α 制程同樣保證了在整個系統生命周期內更具優勢的總體擁有成本。
關于缺貨、EUV和其他
在存儲產業，現在的關注熱點除了缺貨、漲價和產能規劃外，DRAM產業對EUV的采用也是另一個重點。針對這些問題，美光執行副總裁兼首席商務官Sumit Sadana 先生在日前的舉辦的媒體會上都做了一一回答。
首先在存儲缺貨問題上，Sumit Sadana 回應道，在疫情一開始的時候，美光發現來自汽車行業或者是智能手機行業的需求是下降的。但是到后來，他們看到這方面的需求也大幅度復蘇。現在，美光看到針對半導體的設備，汽車客戶、PC客戶，還有客戶端設備的生產客戶，他們都有非常強勁的需求。這 也影響到了存儲產品的的供需平衡。
“我們的確是在某些DRAM的業務方面出現了緊缺的現象，一些運營狀況受到了影響。比如說在2021年自然年的第一季度，我們已經看到某一些DRAM產品的價格有所上漲。在整個2021年自然年，我們認為這個需求不斷上升的趨勢只會持續下去，所以供給緊俏的現象也還會持續下去，可能還會持續幾年，因為整個市場就是處在供不應求的狀態”，Sumit Sadana 告訴記者。
他同時表示，在NAND技術方面這部分的情況就不太相同。他指出，目前市場上的NAND供應還是充足的。不過隨著價格的浮動，美光認為NAND這方面的產品也會出現價格彈性，但市場會自行調節，NAND的產能也會隨之有所調整。縱觀2021年，美光相信NAND的產能也會穩定下來。
在問到美光對于將EUV光刻機引入到DRAM的規劃的時候，Sumit Sadana 強調，美光一直持續在評估EUV的技術，也與生產EUV基臺工具的廠商在合作。但目前還是處在研發的模式之下。公司目前對EUV的態度是評估什么時候是最佳的時機——最具成本效益和經濟效益的節點，到那時，美光可以將EUV技術納入公司的產品組合里面。
但他也指出，美光一直都能夠引領業界的技術，特別是在使用多重曝光浸潤式光刻（multi-patterning immersion lithograph）的部分，所以我們在DRAM的部分，在不同的節點上都可以更有成本效益。
“公司在多重曝光浸潤式光刻方面的技術非常成熟，所以我們認為不需要過早引進EUV的技術”，Sumit Sadana 強調。
在談到中國存儲公司崛起帶來的潛在影響的時候，Sumit Sadana表示，美光對此也保持關注。他同時也指出，公司在其中要關注的還不只是競爭對手技術方面的發展，還需要去關注他們的制程技術，以及是不是能夠大規模量產？量產的可靠性如何？是不是能夠符合客戶所期待和所要求的品質等問題。
而為了更好地應對市場對存儲的需求，美光希望持續投入資本去發展公司的存儲產業。當中的一部分資本支出支撐他們搭建更多的晶圓廠空間，更多的無塵室/潔凈室（clean room space），因為每一代新的技術會使用到的工具、機臺都越來越多，只有這樣做這才能達成美光所有的晶圓都是在最好的狀態下開始生產的目的。除此之外，美光一部分的資本支出會用來擴充美光內部做封測的一些設施。
隨著新興應用的蓬勃發展，一個屬于存儲的新時代正式崛起。全新的市場競爭格局又給當中的供應商帶來了前所未有的機遇與挑戰。而美光似乎已經做好了充分準備。