《電子技術(shù)應(yīng)用》
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TSMC工藝節(jié)點最新進(jìn)展,與AMD合作開發(fā)晶粒(Chiplet)

2021-06-04
來源: 電子工程專輯
關(guān)鍵詞: AMD TSMC

  AMD誠意滿滿,全新技術(shù)加持Ryzen 5000

  此次 COMPUTEX-2021大會,不僅展示了3D堆疊技術(shù)首次應(yīng)用,“3D vertical cache bonded”技術(shù)出現(xiàn)在AMD Ryzen 5000系列處理器產(chǎn)品中,并且對于廣泛的應(yīng)用程序來說,新的處理器將有十分“恐怖”的性能提升。

  據(jù)悉,AMD此次亮相的prototype 3D 芯片互聯(lián)密度是2D的200多倍,并且是現(xiàn)有3D封裝解決方案的15倍之多;而這一切都是都是來自于AMD與TSMC的密切合作。此次AMD帶來的新的3D解決方案能耗更低,是迄今為止全球最靈活的有源3D堆疊技術(shù)。(active-on-active silicon stacking technology)

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  AMD computex2021 “蘇媽”展示最新CHIPLET技術(shù)(圖源:AMD)

  AMD不僅只帶來Ryzen 5000系列處理器,還表示在2021年底前開始生產(chǎn)3D堆疊技術(shù)加持的高端產(chǎn)品,目前其計算和圖形處理技術(shù)在汽車和移動市場已經(jīng)擁有廣泛的應(yīng)用,包括新能源領(lǐng)袖Tesla、電子設(shè)備巨頭Samsung等廠商;Tesla Model S 和Model X最新的車載娛樂系統(tǒng)是采用AMD的Ryzen系列APU和RDNA2架構(gòu)的GPU,還支持3A游戲大作;與三星合作開發(fā)下一代Exynos SoC,該SoC采用基于AMD RDNA 2架構(gòu)的定制圖形IP內(nèi)核,為旗艦機(jī)帶來光線跟蹤和可變速率著色功能等全新技術(shù)。

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  ComputeX 2021 AMD首席執(zhí)行官 Lisa Su(圖源:Google)

  臺積電N6RF、N5A技術(shù)性能全面提升

  全新的處理器芯片是設(shè)計的產(chǎn)物,也絕少不了制造的一份努力。臺積電也在其技術(shù)研討會上公布了其業(yè)界領(lǐng)先的專業(yè)技術(shù):包括其先進(jìn)的3D Fabric封裝和芯片堆疊技術(shù)。新推出的產(chǎn)品包括用于汽車的N5A系列;下一代5G智能手機(jī)的N6RF和WiFi 6/6E;以及一系列使用3D Fabric技術(shù)的定制芯片。

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  TSMC N5A技術(shù)節(jié)點路線圖(圖源:TSMC)

  N5A是TSMC 5nm工藝技術(shù)節(jié)點的最新成員,旨在滿足車載電腦日益增長的算力提升和復(fù)雜場景的邏輯計算需求,例如支持人工智能的輔助駕駛和車載中控的智能化。N5A系列將當(dāng)今用于超級計算機(jī)中的相同技術(shù)用在車載芯片上,在滿足AEC-Q100 2級以及其他汽車安全和質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)中質(zhì)量和可靠性要求的同時,極大程度的提升了N5A的性能、功率效率和邏輯密度,TSMC也預(yù)計其N5A工藝生產(chǎn)的芯片將于2022年第三季度上市。

  TSMC還對外披露稱,自去年宣布N4研發(fā)計劃以來,目前進(jìn)展極為順利,風(fēng)險量產(chǎn)計劃在2021年第三季度進(jìn)行;并且值得一提的是,其N3技術(shù)是目前全球最先的工藝技術(shù),也將在2022年下半年開始批量生產(chǎn)。憑借經(jīng)驗證的FinFET晶體管結(jié)構(gòu),N3將提供高達(dá)15%的速度增益,或比N5低30%的功耗,并提供高達(dá)70%的邏輯密度提升。

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  TSMC N3 3nm技術(shù)(圖源:google)

  不僅在N5節(jié)點臺積電有了最新動作,此次大會還介紹了N6RF工藝,其先進(jìn)的N6工藝技術(shù)在功率、性能和面積上的優(yōu)勢下,直接引入到5G射頻(RF)和WiFi 6/6E的解決方案中。據(jù)悉,N6RF晶體管在16nm節(jié)點處的性能比上一代RF技術(shù)高出16%以上,N6RF支持的5G RF收發(fā)器在低于6kMHz和毫米波頻段上能夠顯著降低功率和面積,但是絲毫不會影響提供給消費者的性能、功能和電池壽命。

  臺積電的三維硅堆疊和先進(jìn)的封裝技術(shù)3DFabric系列

  對于高性能計算應(yīng)用,TSMC也將在2021年為其InFO oS 和CoWoS 封裝解決方案提供更大的floor plan尺寸,從而為芯片排布和高帶寬內(nèi)存集成芯片提供更大的排布圖。此外,臺積電SoIC芯片組(CoW)將于今年在N7-on-N7上獲得認(rèn)證,計劃于2022年在一家新的全自動化Fab進(jìn)行量產(chǎn)。

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  TSMC 3D Fabric CoWoS封裝技術(shù)(圖源:TSMC)

  而對于移動平臺應(yīng)用來說,臺積電正在推出其InFO_B解決方案,該方案旨在將功能強(qiáng)大的移動處理器集成在一個輕薄、緊湊的封裝中,在提高性能和能效的同時支持制造商在該封裝上堆疊DRAM芯片,將整個電路做到一顆芯片上。

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  TSMC InFo_B解決方案(圖源:Google)

  也就是說在TSMC最新的技術(shù)加持下,AMD此次大會秀出產(chǎn)品可謂驚艷,同時AMD首席執(zhí)行官 Lisa Su(網(wǎng)友喜稱:“蘇媽”)還表示:隨著 AMD 繼續(xù)引領(lǐng)行業(yè)創(chuàng)新步伐,AMD的高性能計算和圖形技術(shù)將得到越來越多行業(yè)和商業(yè)伙伴的采用。

  隨著全新的Ryzen和Radeon系列處理器的推出,整個計算機(jī)行業(yè)AMD產(chǎn)品和技術(shù)的生態(tài)也將越來越完善。同時也表示,接下來在芯片制造前沿的3D Fabric創(chuàng)新技術(shù)才是整個行業(yè)發(fā)展的未來,將本來用于大型超級計算機(jī)的CHIPLET技術(shù)融入到個人電腦、汽車芯片和移動端設(shè)備的設(shè)計理念,將會對用戶性能、功耗和綜合體驗帶來大幅度提升。

 



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