近年來，以IGBT為主的功率半導體和以碳化硅、氮化鎵為主第三代半導體均受到市場的高度關注。

　　其中，IGBT，被視為電力領域的“CPU”，對新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)、節(jié)能環(huán)保等眾多國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，具有重要意義。

　　而第三代半導體作為后摩爾時代實現(xiàn)芯片性能突破的核心技術之一，也受到資本熱捧，其應用領域包括電動汽車、光伏等功率、5G射頻、手機快充等。

　　近日，湖南三安第三代半導體產(chǎn)業(yè)項目和規(guī)劃生產(chǎn)IGBT的塞晶亞太大功率半導體項目均迎來重大進展。據(jù)悉。上述兩個重大項目總投資超200億元。

　　國內首條碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)線投產(chǎn)

　　△Source：湖南省人民政府網(wǎng)站

　　6月23日，湖南首個第三代半導體產(chǎn)業(yè)園項目湖南三安半導體項目迎來首批廠房投產(chǎn)點亮儀式，該項目是全球第三條、中國首條碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)線。

　　此前資料顯示，湖南三安半導體項目總投資160億元，主要建設具有自主知識產(chǎn)權的以碳化硅、氮化鎵等寬禁帶材料為主的第三代半導體全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)與研發(fā)基地。

　　△Source：湖南新聞聯(lián)播視頻截圖

　　具體而言，該項目將建設包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目，包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產(chǎn)業(yè)鏈，研發(fā)、生產(chǎn)及銷售6吋SIC導電襯底、4吋半絕緣襯底、SIC二極管外延、SiC MOSFET外延、SIC二極管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝MOSFET。

　　項目建成達產(chǎn)后預計可實現(xiàn)年產(chǎn)值120億元，可直接提供4500個就業(yè)崗位，并帶動上下游配套產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值預計超1000億，提供近10000個就業(yè)崗位。

　　△Source：湖南新聞聯(lián)播視頻截圖

　　此外，湖南三安還與北京智芯、威勝信息共同簽訂了碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈關鍵技術研究及產(chǎn)業(yè)化聯(lián)合實驗室共建意向書，將聯(lián)合攻關碳化硅功率模塊科技項目，申報和創(chuàng)建國家創(chuàng)新中心。

　　賽晶科技IGBT生產(chǎn)線進入試生產(chǎn)階段

　　△Source：塞晶科技官網(wǎng)

　　同日，賽晶科技集團有限公司宣布，公司旗下子公司賽晶亞太半導體科技（浙江）有限公司在浙江省嘉興市嘉善縣經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)舉行了絕緣柵雙極晶體管（IGBT）生產(chǎn)線竣工投產(chǎn)儀式，IGBT生產(chǎn)線進入試生產(chǎn)階段。

　　據(jù)悉，賽晶科技于2019年3月正式啟動了自主技術IGBT項目。隨后，2019年7月賽晶IGBT項目正式簽約落戶嘉善，2020年6月賽晶IGBT生產(chǎn)基地動工建設，同年9月賽晶首款IGBT芯片和模塊產(chǎn)品正式推出。

　　此前的資料顯示，賽晶亞太IGBT大功率半導體項目總投資52.5億元，其中項目一期投資17.5億元，規(guī)劃建設2條IGBT芯片背面工藝生產(chǎn)線，5條IGBT模塊封裝測試生產(chǎn)線，建成后年產(chǎn)能將達到200萬件IGBT模塊產(chǎn)品。該公司IGBT產(chǎn)品應用將涵蓋600V至1700V的中低壓領域，面向電動汽車、光伏風電、工業(yè)變頻等市場。

　　賽晶科技表示，IGBT生產(chǎn)線的投產(chǎn)有助于提高公司的市場競爭力，對未來的經(jīng)營業(yè)績帶來積極影響。由于生產(chǎn)線從投產(chǎn)到達產(chǎn)尚需一定時間，預期產(chǎn)能的釋放需要過程；同時，短期內還有固定成本增加的壓力，投資者應注意投資風險。