文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼： A
DOI：10.16157/j.issn.0258-7998.211289
中文引用格式： 李林森，汪濤，朱喆. InGaAs/GaAs多量子阱近紅外光探測(cè)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與表征[J].電子技術(shù)應(yīng)用，2021，47(7)：118-124.
英文引用格式： Li Linsen，Wang Tao，Zhu Zhe. Design and characterization the InGaAs/GaAs multiple quantum wells near-infrared light detecting structure[J]. Application of Electronic Technique，2021，47(7)：118-124.
0 引言
光探測(cè)器是一種能夠?qū)⒐庑盘?hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)的器件，因?yàn)榻?a class="innerlink" href="http://m.jysgc.com/tags/紅外" target="_blank">紅外光覆蓋的波長(zhǎng)范圍較寬(760 nm~2 526 nm)，對(duì)其進(jìn)行探測(cè)分析具有潛在的軍民用價(jià)值，例如，可以通過近紅外光探測(cè)進(jìn)行敵我識(shí)別、戰(zhàn)略預(yù)警，紅外制導(dǎo)可以實(shí)現(xiàn)末端打擊，紅外夜視可用于單兵作戰(zhàn)，民用領(lǐng)域主要有近紅外光纖通信、工業(yè)探傷檢測(cè)、氣象探測(cè)與地球資源探測(cè)、安防監(jiān)控等[1-4]。正是因?yàn)榻t外探測(cè)的諸多應(yīng)用需求，使得全世界范圍內(nèi)的科研工作者傾注了大量的精力去研究近紅外特測(cè)材料、結(jié)構(gòu)及器件。近年來(lái)，隨著對(duì)固體物理、半導(dǎo)體物理的認(rèn)識(shí)不斷深入，以及先進(jìn)制造技術(shù)例如分子束外延(MBE)、金屬化合物氣相沉積(MOCVD)、原子層沉積(ALD)等的不斷發(fā)展，科研工作者可以根據(jù)半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)與特征設(shè)計(jì)一些新穎的結(jié)構(gòu)例如量子阱、量子點(diǎn)等以實(shí)現(xiàn)各探測(cè)波段的高性能，并通過先進(jìn)的半導(dǎo)體制程實(shí)現(xiàn)探測(cè)器的小尺寸和高可靠性。
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作者信息：
李林森，汪 濤，朱 喆
(華東微電子研究所 微系統(tǒng)安徽省重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，安徽 合肥230088)
