基于新型微組裝技術的X波段高隔離開關的設計
2021年電子技術應用第8期
劉博源1，黃昭宇1，江 云1，季鵬飛1，許慶華2，張曉發(fā)1，袁乃昌1
1.國防科技大學 電子科學學院 CEMEE國家重點實驗室，湖南 長沙410003； 2.湖北三江航天險峰電子信息有限公司，湖北 孝感432000
摘要： 為實現(xiàn)X波段四路并行開關電路并有效提高通道間隔離度，提出了基于新型微組裝技術的X波段高隔離開關的方案。根據(jù)指標，對單刀雙擲開關進行性能分析和控制電路設計，同時，在結構方面進行腔體和多層板層疊設計，保證了4個開關之間的隔離。采用軟件建模與仿真，并對其通道間的隔離度進行了測定，以減小腔體效應。經過優(yōu)化，在中心頻率處可以將端口的隔離度控制在50 dB以上。利用微組裝工藝，實際制作了X波段開關組件，通過實測數(shù)據(jù)與仿真結果對比，驗證了組件性能的優(yōu)越性。該設計方法獨特，實用性強，適于在實際工程中推廣。
中圖分類號： TN724.1
文獻標識碼： A
DOI：10.16157/j.issn.0258-7998.211717
中文引用格式： 劉博源，黃昭宇，江云，等. 基于新型微組裝技術的X波段高隔離開關的設計[J].電子技術應用，2021，47(8)：20-25.
英文引用格式： Liu Boyuan，Huang Zhaoyu，Jiang Yun，et al. Design of X-band high isolation switch based on new microassembly technology[J]. Application of Electronic Technique，2021，47(8)：20-25.
文獻標識碼： A
DOI：10.16157/j.issn.0258-7998.211717
中文引用格式： 劉博源，黃昭宇，江云，等. 基于新型微組裝技術的X波段高隔離開關的設計[J].電子技術應用，2021，47(8)：20-25.
英文引用格式： Liu Boyuan，Huang Zhaoyu，Jiang Yun，et al. Design of X-band high isolation switch based on new microassembly technology[J]. Application of Electronic Technique，2021，47(8)：20-25.
Design of X-band high isolation switch based on new microassembly technology
Liu Boyuan1，Huang Zhaoyu1，Jiang Yun1，Ji Pengfei1，Xu Qinghua2，Zhang Xiaofa1，Yuan Naichang1
1.CEMEE State Key Laboratory，School of Electronic Science and Engineering， National University of Defense Technology，Changsha 410003，China； 2.Xianfeng Electronic Information Co.，Ltd.，Sanjiang Aerospace，Xiaogan 432000，China
Abstract： In order to realize the four-way parallel switching circuit of X-band and improve the isolation between channels effectively, a high isolation switch scheme of X-band based on new microassembly technology was proposed. While analyzing the performance of the Single Pole Double Throw(SPDT) switch and designing corresponding control circuit according to indexes, at the same time, design of cavity in terms of structure and laminated structure of composite multilayer board ensured the isolation between the four switches. Softwares were used to model, simulate and then measure the isolation degree between the channels to decrease the cavity effect. After optimization, the isolation degree of the port could be controlled above 50 dB at the center frequency. The X-band switch component was made by means of microassembly technology, and the advantages of the component performance were verified by comparing the measured data with the simulation results. The design method is unique, practical and suitable for application in practical projects.
Key words : switch；X-band；isolation；chip；microassembly
0 引言
隨著現(xiàn)代雷達通信系統(tǒng)對微波有源器件日益增長的需求，經過從21世紀五六十年代以來的發(fā)展，已經逐漸從功耗高、重量大轉向小型化、高集成、高性能、多功能新型化器件[1]。同時，工藝水平的提升，也使得器件的加工精度和批量化產品一致性以及高可靠性得到極大程度的保障。這其中，由于對電路不同路徑的選通作用，微波開關被廣泛應用在收發(fā)組件中[2]。
性能優(yōu)良的微波開關對于提升射頻前端集成度的作用是顯著的，這是因為開關與接收或發(fā)射天線直接關聯(lián)，其結構直接影響到了天線尺寸以及在相同體積內路徑的數(shù)量[3]。對于本文中所涉及的多路開關，為使每一路開關和與之相鄰的其他路的開關能夠避免信號大規(guī)模串擾，就需要對模塊整體結構進行優(yōu)化設計。具體而言，在平行路徑之間分腔，對于提升電路電磁兼容性是至關重要的[4]。除此之外，在電路層面上，利用高介電常數(shù)的新型多層板和微組裝設計，可以在每一路的垂直方向上將控制電路和射頻電路分離開，這樣就可以防止直流信號與射頻信號之間的混疊，路徑切換受阻，信噪比下降，嚴重限制微波開關正常工作。
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作者信息：
劉博源1，黃昭宇1，江 云1，季鵬飛1，許慶華2，張曉發(fā)1，袁乃昌1
(1.國防科技大學 電子科學學院 CEMEE國家重點實驗室，湖南 長沙410003；
2.湖北三江航天險峰電子信息有限公司，湖北 孝感432000)
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