文獻(xiàn)標(biāo)識碼： A
DOI：10.16157/j.issn.0258-7998.201215
中文引用格式： 翟鵬飛，周雄，李強(qiáng). 片上電源電壓噪聲功率譜測量方法綜述[J].電子技術(shù)應(yīng)用，2021，47(8)：30-33，38.
英文引用格式： Zhai Pengfei，Zhou Xiong，Li Qiang. Review of on chip power supply noise power spectrum measurement[J]. Application of Electronic Technique，2021，47(8)：30-33，38.
0 引言
現(xiàn)代的片上系統(tǒng)(SoC)的功能越來越復(fù)雜，性能要求也在不斷提高，為了保證系統(tǒng)良好穩(wěn)定地工作，其電源網(wǎng)絡(luò)是十分復(fù)雜的。隨著工藝尺寸越來越小，片上走線和走線、走線和器件之間的寄生越來越大，相互之間的耦合和干擾也就越來越大，更加惡化了片上電源噪聲的情形。同時，電源供電電壓越來越低，導(dǎo)致噪聲容限越來越小，所以電源網(wǎng)絡(luò)模型在芯片的設(shè)計過程中是十分重要的。要想獲得準(zhǔn)確的電源網(wǎng)絡(luò)模型，需要在芯片生產(chǎn)出來后，對芯片內(nèi)部的電源電壓噪聲(PSN)進(jìn)行實際測量，再由測得的噪聲數(shù)據(jù)反推出電源網(wǎng)絡(luò)模型的參數(shù)。
片上PSN測量類型主要可以分為時域波形測量[1-4]和噪聲功率譜測量兩種[5-9]，本文主要介紹片上噪聲功率譜測量技術(shù)。片上電源電壓功率譜測量主要是基于維納-辛欽定理，對電源電壓上的周期平穩(wěn)噪聲進(jìn)行測量[6]，以得到噪聲的頻率和幅度信息。根據(jù)這些信息，同時也可以進(jìn)一步確定噪聲源的位置，并預(yù)估其對芯片中各個模塊性能的影響。
本文詳細(xì)內(nèi)容請下載：http://m.jysgc.com/resource/share/2000003694。
作者信息：
翟鵬飛1，周 雄1，李 強(qiáng)1，2
(1.電子科技大學(xué) 電子科學(xué)與工程學(xué)院，四川 成都610054；
2.琶洲實驗室-人工智能與數(shù)字經(jīng)濟(jì)廣東省實驗室，廣東 廣州510330)
