從半導(dǎo)體的斷代法來看，硅（Si）、鍺（Ge）為第一代半導(dǎo)體，特別是 Si，構(gòu)成了一切邏輯器件的基礎(chǔ)，我們的 CPU、GPU 的算力，都離不開 Si 的功勞；砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）為第二代半導(dǎo)體的代表，其中 GaAs 在射頻功放器件中扮演重要角色，InP 在光通信器件中應(yīng)用廣泛……

　　而到了半導(dǎo)體的第三代，就涌現(xiàn)出了碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石（C）、氮化鋁（AlN）等新興材料。第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)化，也需要在各個(gè)方面尋找到平衡。

　　一代、二代、三代半導(dǎo)體之間，并非簡單的取代關(guān)系，行業(yè)足夠大、需求足夠多樣，每一種材料都會(huì)找到適合的需求空間。

　　對于第三代半導(dǎo)體材料而言，一般射頻器件主要采用 GaN，功率器件主要采用 SiC 和 GaN。

　　在5G和新能源汽車等新市場需求的驅(qū)動(dòng)下，第三代半導(dǎo)體材料有望迎來加速發(fā)展。硅基半導(dǎo)體的性能已無法完全滿足5G和新能源汽車的需求，碳化硅和氮化鎵等第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢被放大。

　　另外，制備技術(shù)的進(jìn)步使得碳化硅和氮化鎵器件成本不斷下降，碳化硅和氮化鎵的性價(jià)比優(yōu)勢將充分顯現(xiàn)。初步判斷，第三代半導(dǎo)體未來的核心增長點(diǎn)將集中在碳化硅和氮化鎵各自占優(yōu)勢的領(lǐng)域。

　　27日，意法半導(dǎo)體（ST）宣布，其瑞典北雪平工廠制造出首批200mm（8英寸）碳化硅（SiC）晶圓片，將用于生產(chǎn)下一代電力電子芯片的產(chǎn)品原型。

　　該公司表示，SiC晶圓升級(jí)到200mm標(biāo)志著意法半導(dǎo)體面向汽車和工業(yè)客戶的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃取得重要的階段性成功，與150mm晶圓相比，200mm晶圓可增加產(chǎn)能，將制造集成電路可用面積幾乎擴(kuò)大一倍，合格芯片產(chǎn)量是150mm晶圓的1.8-1.9倍。

　　此外，意法半導(dǎo)體正在與供應(yīng)鏈上下游技術(shù)廠商合作開發(fā)自己的制造設(shè)備和生產(chǎn)工藝。

　　意法半導(dǎo)體是國際功率半導(dǎo)體大廠，且專注于車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體。據(jù)Strategy Analytics新發(fā)布的《2020年汽車半導(dǎo)體廠商市場份額報(bào)告》顯示，意法半導(dǎo)體與英飛凌、恩智浦、瑞薩、德州儀器為全球Top 5汽車半導(dǎo)體供應(yīng)商，2020年這五家供應(yīng)商共占據(jù)了全球汽車半導(dǎo)體市場近49%的份額。