《電子技術(shù)應(yīng)用》
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不需EUV光刻機也能生產(chǎn)5nm芯片,半導(dǎo)體技術(shù)迎來重大突破

2021-10-26
來源:OFweek電子工程網(wǎng)
關(guān)鍵詞: EUV 5nm 芯片 半導(dǎo)體

如今,隨著半導(dǎo)體制程技術(shù)越來越先進(jìn),對于制造芯片的機械設(shè)備的要求也越來越高,于是荷蘭ASML公司生產(chǎn)的EUV光刻機成為半導(dǎo)體制程技術(shù)的關(guān)鍵生產(chǎn)設(shè)備。但是,由于EUV光刻機造價高昂,每臺價格超過1億美元,并且EUV光刻機制造難度大,產(chǎn)能嚴(yán)重不足等原因,使得各大芯片生產(chǎn)公司瘋狂搶奪EUV光刻機,并且如果缺少光刻機的話,芯片的生產(chǎn)成本將大幅提高。

面對如此嚴(yán)峻的問題,日本存儲大廠鎧俠(Kioxia)聯(lián)合半導(dǎo)體設(shè)備廠佳能、光罩等半導(dǎo)體零組件制造商大日本印刷株式會社(DNP)共同開發(fā)了一種新的NIL制程技術(shù),可以在不適用EUV光刻機的情況下就能夠使半導(dǎo)體制程技術(shù)進(jìn)到5nm

據(jù)悉,現(xiàn)在鎧俠已經(jīng)掌握了15nm的制程量產(chǎn)技術(shù),目前正在全力進(jìn)行15nm一下技術(shù)的研發(fā),預(yù)計將于2025年進(jìn)一步達(dá)成計劃目標(biāo)。

對比于現(xiàn)在已商用化的EUV光刻技術(shù),鎧俠方面表示,NIL技術(shù)優(yōu)勢在于可以大幅減少耗能,并降低設(shè)備成本。原因在于NIL 技術(shù)的微影制程較為單純,耗電量可壓低至EUV技術(shù)的10%,并讓設(shè)備投資降低至僅有EUV設(shè)備的40%。目前,高端的EUV光刻機只有荷蘭ASML一家能夠生產(chǎn)供應(yīng),其不但價格高,而且需要許多檢測設(shè)備的配合,并且生產(chǎn)極為困難,產(chǎn)能極其有限。

不過,雖然NIL技術(shù)有許多的優(yōu)點,但現(xiàn)階段在投入量產(chǎn)上仍有不少問題有待解決,其中比較大的問題就是對比EUV光刻機來說,NIL技術(shù)更容易因空氣中的細(xì)微塵埃的影響而形成瑕疵。

據(jù)悉,對鎧俠來說,NAND零組件因為采取3D立體堆疊結(jié)構(gòu),更容易適應(yīng)NIL技術(shù)制程。而鎧俠也表示,目前已成功解決NIL的基本技術(shù)問題,正在進(jìn)行量產(chǎn)技術(shù)的推進(jìn)工作,希望能較其他競爭對手率先引入到NAND生產(chǎn)當(dāng)中。而一旦鎧俠能成功率先引入NIL技術(shù)并實現(xiàn)量產(chǎn),有望彌補在設(shè)備投資競賽中的不利局面,又能符合減少碳排放的需求。

另外,根據(jù)DNP的說法,NIL量產(chǎn)技術(shù)電路微縮程度可達(dá)5nm節(jié)點,并且DNP從2021 年的春天開始,就已經(jīng)在根據(jù)設(shè)備的規(guī)格值進(jìn)行內(nèi)部的模擬仿真當(dāng)中。而對于這樣的技術(shù)進(jìn)步,DNP透露說,已經(jīng)有不少半導(dǎo)體制造商開始詢問NIL 量產(chǎn)技術(shù),這就表示不少廠商對NIL技術(shù)寄予厚望。

另一個合作伙伴佳能,也致力于將NIL量產(chǎn)技術(shù)廣泛的應(yīng)用于制作DRAM及PC用的CPU等邏輯芯片的設(shè)備上,以在未來供應(yīng)更多的半導(dǎo)體制造商,將來也希望能應(yīng)用于手機應(yīng)用處理器等最先進(jìn)制程上。

假如NIL未來能成功開發(fā)出來,對于現(xiàn)在的半導(dǎo)體行業(yè)來說絕對是個大好消息,半導(dǎo)體芯片的產(chǎn)能將因此得到大幅提高,也能夠很大程度的緩解如今全球范圍內(nèi)的缺芯問題。




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