在上月的ITF大會(huì)上，半導(dǎo)體行業(yè)大腦imec(比利時(shí)微電子研究中心)公布的藍(lán)圖顯示，2025年后晶體管進(jìn)入埃米尺度(?，angstrom，1埃 = 0.1納米)，其中2025對(duì)應(yīng)A14(14?=1.4納米)，2027年為A10(10?=1nm)、2029年為A7(7?=0.7納米)。

當(dāng)時(shí)imec就表示，除了新晶體管結(jié)構(gòu)、2D材料，還有很關(guān)鍵的一環(huán)就是High NA(高數(shù)值孔徑)EUV光刻機(jī)。其透露，0.55NA的下代EUV光刻機(jī)一號(hào)試做機(jī)(EXE:5000)會(huì)在2023年由ASML提供給imec，2026年量產(chǎn)。

不過，本月與媒體交流時(shí)，ASML似乎暗示這個(gè)進(jìn)度要提前。第一臺(tái)高NA EUV光刻機(jī)2023年開放早期訪問，2024年到2025年開放給客戶進(jìn)行研發(fā)并從2025年開始量產(chǎn)。

據(jù)悉，相較于當(dāng)前0.33NA的EUV光刻機(jī)，0.55NA有了革命性進(jìn)步，它能允許蝕刻更高分辨率的圖案。

分析師Alan Priestley稱，0.55NA光刻機(jī)一臺(tái)的價(jià)格會(huì)高達(dá)3億美元(約合19億)，是當(dāng)前0.33NA的兩倍。

早在今年7月，Intel就表態(tài)致力于成為高NA光刻機(jī)的首個(gè)客戶，Intel營銷副總裁Maurits Tichelman重申了這一說法，并將高NA EUV光刻機(jī)視為一次重大技術(shù)突破。