據(jù)韓媒報道，三星電子正計劃通過在未來三年內(nèi)打造3納米GAA（Gate－all－around）工藝來追趕世界第一大代工公司臺積電。
繼2022年上半年將GAA技術(shù)應(yīng)用于其3納米工藝后，三星計劃在2023年將其引入第二代3納米芯片，并在2025年大規(guī)模生產(chǎn)基于GAA的2納米芯片。臺積電的戰(zhàn)略是在2022年下半年使用穩(wěn)定的FinFET工藝進入3納米半導體市場，而三星電子則押注于GAA技術(shù)。
三星電子正押注于將GAA技術(shù)應(yīng)用于3納米工藝，以追趕臺積電。據(jù)報道，這家韓國半導體巨頭在6月初將3納米GAA工藝的晶圓用于試生產(chǎn)，成為全球第一家使用GAA技術(shù)的公司。三星希望通過技術(shù)上的飛躍，快速縮小與臺積電的差距。3納米工藝將半導體的性能和電池效率分別提高了15％和30％，同時與5納米工藝相比，芯片面積減少了35％。
業(yè)內(nèi)人士稱，如果三星在基于GAA的3納米工藝中保證了穩(wěn)定的產(chǎn)量，它就能成為代工市場的游戲規(guī)則改變者。臺積電預(yù)計將從2納米芯片開始引入GAA工藝，并在2026年左右發(fā)布第一個產(chǎn)品。對于三星電子來說，未來三年將是一個關(guān)鍵時期。
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