公司內部以及合作開發的七款設計工具可以為45W至140W的適配器帶來高性能650V氮化鎵FET的優勢
加州戈利塔－－（新聞稿）－－ （美國商業資訊）－－高可靠性、高性能氮化鎵（GaN）電源轉換產品的先驅和全球供應商Transphorm， Inc． （Nasdaq： TGAN）今天宣布推出七款參考設計，旨在加快基于氮化鎵的USB－C PD電源適配器的研發。該參考設計組合包括廣泛的開放式框架設計選項，覆蓋多種拓撲結構、輸出和功率（45W至140W）。
SuperGaN?技術的差異化優勢電源適配器參考設計采用SuperGaN第IV代650V FET，具有設計簡單、可靠性高和性能強勁的優勢，這些特點已經成為Transphorm氮化鎵器件的代名詞。在最近的對比分析中，與175毫歐的e－mode氮化鎵器件相比，Transphorm的240毫歐SuperGaN FET在溫度超過75℃時顯示出更低的導通電阻上升幅度，并在50％和100％（全）功率下擁有更高的性能。
電源適配器參考設計Transphorm的參考設計組合包括五款開放框架的USB－C PD參考設計，頻率范圍從140到300 kHz。其中包括Transphorm與Silanna Semiconductor合作開發的一款65W有源鉗位反激模式（ACF）參考設計，運行頻率為140kHz，峰值效率為94．5％。
· （1x） 45W適配器參考設計采用準諧振反激模式（QRF）拓撲結構，可提供24 W／in3的功率密度
· （3x） 65W適配器參考設計采用ACF或QRF拓撲結構，可提供30 W／in3的功率密度
· （1x） 100W適配器參考設計采用功率因數校正（PFC）＋QRF拓撲結構，可提供18 W／in3的功率密度
Transphorm的參考設計組合還包括兩款開放框架的USB－C PD／PPS參考設計，頻率范圍110到140 kHz。Transphorm與Diodes Inc．合作開發了這兩款解決方案，利用該公司的ACF控制器實現了超過93．5％的峰值效率。
· （1x） 65W適配器參考設計采用ACF拓撲結構，可提供29 W／in3的功率密度
· （1x） 140W適配器參考設計采用PFC＋ACF拓撲結構，可提供20 W／in3的功率密度
Transphorm現場應用和技術銷售副總裁Tushar Dhayagude表示：“Transphorm獨具優勢，可提供唯一能適用于廣泛應用的、涵蓋眾多功率水平的氮化鎵FET組合。我們的電源適配器參考設計凸顯出我們的低功率能力。我們提供與控制器無關的PQFN和TO－220器件，可以極大地簡化設計。這些優勢以及其他特點有助于客戶快速、輕松地將具有突破性功率效率水平的氮化鎵解決方案推向市場。這正是Transphorm氮化鎵器件的價值所在。”
關于Transphorm
Transphorm， Inc．是氮化鎵革命的全球領導者，致力于設計、制造和銷售用于高壓電源轉換應用的高性能、高可靠性的氮化鎵半導體功率器件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵知識產權組合之一，持有或取得授權的專利超過1，000多項，在業界率先生產經JEDEC和AEC－Q101認證的高壓氮化鎵半導體器件。得益于垂直整合的業務模式，Transphorm能夠在產品和技術開發的每一個階段進行創新：設計、制造、器件和應用支持。 Transphorm的創新正在使電力電子設備突破硅的局限性，以使效率超過99％、將功率密度提高40％以及將系統成本降低 20％。Transphorm的總部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本會津設有制造工廠。
