2022 年 6 月 23 日，中國(guó) – 意法半導(dǎo)體40V MOSFET晶體管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)損耗，同時(shí)優(yōu)化體寄生二極管特性，降低功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制和配電電路的能耗和噪聲。

新型 40V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 利用最新一代 STPOWER STripFET F8 氧化物填充溝槽技術(shù)實(shí)現(xiàn)卓越的品質(zhì)因數(shù)。在柵源電壓 (VGS)為 10V 時(shí)，STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG的最大導(dǎo)通電阻 (Rds(on))分別為 0.8毫歐和和0.75毫歐。新MOSFET的裸片單位面積(Rds(on))電阻非常低，因此可以采用節(jié)省空間且熱效率高的 PowerFLAT 5x6 封裝。

 意法半導(dǎo)體先進(jìn)的STripFET F8 技術(shù)的開(kāi)關(guān)速度十分出色，低芯片電容可以最大限度地降低柵漏電荷等動(dòng)態(tài)參數(shù)，提高系統(tǒng)能效。設(shè)計(jì)人員可以在 600kHz 至 1MHz 范圍內(nèi)選擇開(kāi)關(guān)頻率，允許使用尺寸更小的電容和磁性元件，節(jié)省電路尺寸和物料清單成本，提高終端應(yīng)用的功率密度。 

適當(dāng)?shù)妮敵鲭娙莺拖嚓P(guān)的等效串聯(lián)電阻可防止漏源電壓出現(xiàn)尖峰，并確保在管子關(guān)斷時(shí)突降振蕩時(shí)間更短。 憑借這一點(diǎn)和體二極管的軟恢復(fù)特性， STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG發(fā)出的電磁干擾 (EMI) 低于市場(chǎng)上其他類似器件。此外，體寄生二極管的反向恢復(fù)電荷很小，可最大限度地減少硬開(kāi)關(guān)拓?fù)涞哪芰繐p耗。 

柵極閾壓 (VGS(th))在 STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 中受到嚴(yán)格控制，以確保器件之間的閾壓差異很小，以便并聯(lián)多個(gè) MOSFET功率管，處理更大的電流。短路耐受能力也非常出色，可承受高達(dá)1000A的電流(脈沖短于10μs)。STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 分別是第一款符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和 AEC-Q101汽車標(biāo)準(zhǔn)的 STPOWER STripFET F8 MOSFET 器件，是電池供電產(chǎn)品和計(jì)算、電信、照明和通用功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇。

STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 現(xiàn)已量產(chǎn)。