最近媒體鋪天蓋地報道三星的3nm將要投產，而且是劃時代的GAA(環(huán)繞柵極)晶體管。“到底是騾子是馬”還不好下判斷，也許是4nm翻車讓三星痛定思痛，加快了進度;也有可能是公關障眼法。
在TheElec最新報道提到，三星最快本周開始試產3nm工藝，第一個客戶來自中國礦機芯片廠商，名為PanSemi。
這似乎表明，PanSemi資金雄厚且膽子挺大，畢竟三星3nm初期產能很低。
企查查工商信息顯示，PanSemi實為上海磐矽半導體技術有限公司，2016年才成立，實繳注冊資本4500萬。遺憾的是，該公司其它資料不多，官網十分簡陋，公布的企業(yè)參保人數也僅有3人。
回到3nm本身，按照三星的說法，與7nm制造工藝相比，3nm GAA技術的邏輯面積效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了約35%。相較于目前應用在5nm、7nm上最先進成熟的FinFET晶體管，GAA可以更精確地控制電流、柵極寬度也更窄。
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