據悉，從兩個月前宣布在華城工廠已經大規模開始量產使用GAA(Gate-All-AroundT)全環繞柵極制程工藝的3nm芯片，到目前這批GAA架構的3nm代工產品已經發貨，對過去長達幾年的在和臺積電競爭過程中陷入困局的三星來說，這次提前發布3nm芯片并出貨一定程度上給予客戶和自己一些信心，同時，據悉三星會基于GAA架構趁熱打鐵，快速推出4nm芯片競爭臺積電，將此次速度優勢發揮到最大。

在去年的年中，三星就宣布其GAA(Gate-All-AroundT)全環繞柵極制程工藝的3nm芯片已經成功流片，而隨后不就就宣布將先于臺積電的3nm工藝，但是在今年年初的時候有消息稱，三星的GAA(Gate-All-AroundT)全環繞柵極制程工藝的3nm芯片良率才到達20%左右，這個數值是遠低于之前預期的，但是隨后不久三星就宣布3nm的良率問題已經基本解決，而且進入了實驗性的量產階段。

在今年的七月份左右，三星電子宣布在華城工廠已經大規模開始量產使用GAA(Gate-All-AroundT)全環繞柵極制程工藝的3nm芯片，三星方面宣稱，初代的3nm GAA制程工藝芯片相較于之前的5nm芯片可提升23%的性能和16%的占用面積，而功耗可降低多達45%，而未來第二代的3nm GAA上述的數據分別增加到30%、35%、50%。而據相關的信息稱，本次第一批的3nm GAA制程工藝芯片的客戶部分將來自中國上海。

我們所知到的傳統平面式的晶體管(Planar FET)通過降低電壓來節省功耗的，但是平面式的晶體管(Planar FET)會產生短溝道效應，這種現象一定程度上遏制了電壓的降低，但是鰭式場效應晶體管(FinFET)會突破這個瓶頸限制，使電壓再次降低，但隨著摩爾定律的推薦和工藝不斷提升，鰭式場效應晶體管也出現了瓶頸，下一個“鰭式場效應晶體管”就是GAA(Gate-all-around)全環繞柵極制程技術。

三星的主要競爭對手是臺積電(TSMC)，因為根據臺積電的公布，其3nm工藝預計會在2022年9月份正式進入量產階段，而且讓三星更壓力山大的消息是臺積電的3nm良品率比當時5nm工藝更好。據悉，三星此次投資的金額約為40億美元，此舉展示了三星電子的戰略信心并且嘗試從臺積電手上取得高通的訂單。

因此三星電子在本次搶先了臺積電GAA(Gate-All-AroundT)全環繞柵極制程工藝的3nm芯片先量產的基礎上，采取更進一步的戰略決策，希望借助本次3nm GAA(Gate-All-AroundT)芯片出貨的機會，迅速增加4nm芯片的產量并搶先在臺積電推出之前挽回流失的客戶。

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