11月25日消息，有投資者向南大光電提問稱，公司 ARF 光刻膠驗(yàn)證的怎么樣啦，什么時(shí)候會(huì)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)？對此，南大光電回應(yīng)，公司 ArF 光刻膠產(chǎn)品分別通過一家存儲(chǔ)芯片制造企業(yè)和一家邏輯芯片制造企業(yè)的驗(yàn)證，目前多款產(chǎn)品正在多家客戶同時(shí)進(jìn)行認(rèn)證，后續(xù)驗(yàn)證進(jìn)展情況請關(guān)注公司相關(guān)信息披露。
南大光電表示，目前公司有多款A(yù)rF光刻產(chǎn)品在國內(nèi)大型芯片制造企業(yè)進(jìn)行測試。光刻膠是客制化產(chǎn)品，技術(shù)含量高，驗(yàn)證周期長，且體量不大。因?yàn)槭翘娲M(jìn)口，所以我們研發(fā)的產(chǎn)品需要適應(yīng)客戶端的工藝參數(shù)，留給我們的調(diào)整空間很小，所以驗(yàn)證難度大。目前驗(yàn)證進(jìn)展順利，預(yù)計(jì)今年年底會(huì)有幾款產(chǎn)品通過驗(yàn)證。公司也將抓緊推進(jìn)市場拓展工作，爭取盡快實(shí)現(xiàn)批量銷售。
據(jù)了解，早在2016年，南大光電參股了北京科華微電子材料有限公司，便開始了研發(fā)“193nm光刻膠項(xiàng)目”，并且該公司是唯一一家通過了EUV光刻膠“02專項(xiàng)”研發(fā)的企業(yè)。彼時(shí)，南大光電便宣稱，計(jì)劃用3年的時(shí)間實(shí)現(xiàn)ArF光刻膠產(chǎn)品的建設(shè)、投產(chǎn)和銷售，最終達(dá)到年產(chǎn)25噸193nm ArF光刻膠產(chǎn)品的生產(chǎn)規(guī)模。
國產(chǎn)光刻膠任重而道遠(yuǎn)
資料顯示，南大光電此次通過客戶認(rèn)證的ArF光刻膠材料是集成電路制造領(lǐng)域的重要關(guān)鍵材料，可以用于90nm～14nm甚至7nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的集成電路制造工藝。廣泛應(yīng)用于高端芯片制造，包括邏輯芯片、AI芯片、5G芯片、大容量存儲(chǔ)器和云計(jì)算芯片等。
眾所周知，自去年以來，全球芯片供應(yīng)緊缺持續(xù)，各大晶圓廠積極擴(kuò)張產(chǎn)能，上游半導(dǎo)體耗材光刻膠等材料需求巨大，如今南大光電ArF光刻膠再次通過企業(yè)認(rèn)證，量產(chǎn)化有望，將很大程度緩解光刻膠產(chǎn)能緊缺的窘境。
光刻膠是半導(dǎo)體芯片制造行業(yè)的重要關(guān)鍵原材料，在半導(dǎo)體集成電路材料中技術(shù)難度最大，質(zhì)量要求最高，主要應(yīng)用于芯片制造的光刻工藝，而光刻工藝又是半導(dǎo)體芯片最為核心的工藝，占整個(gè)芯片制造成本的35％，光刻膠通過利用光化學(xué)反應(yīng)原理，經(jīng)曝光、顯影等光刻工序，將所需要的圖像留存，并轉(zhuǎn)移到待加工的晶圓片上，從而完成光刻。
在半導(dǎo)體領(lǐng)域，光刻膠產(chǎn)品主要分為紫外光刻膠g線（436nm）和i線（365nm），深紫外光刻膠KrF（248nm）、ArF（193nm），以及目前最先進(jìn)的，可以應(yīng)用于EUV技術(shù)的極紫外光刻膠（13．5nm）。
一直以來，國內(nèi)的光刻膠市場被日美等外資企業(yè)長期壟斷，國內(nèi)光刻膠企業(yè)僅有少量的低端g線、i線以及KrF線光刻膠可實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，自給率不到20％，目前國內(nèi)更為高端的ArF光刻膠產(chǎn)品仍未實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
根據(jù)公開資料顯示，目前整個(gè)光刻膠產(chǎn)品的市場里，日美企業(yè)占據(jù)了87％的市場份額，其中日企JSR株式會(huì)社在全球先進(jìn)的ArF、EUV市場具有較為領(lǐng)先的地位，是全球光刻膠龍頭廠商，占有28％的市場份額，其他主要廠商包括日本的東京應(yīng)化、富士電子、信越化學(xué)、美國的陶氏杜邦等，具體占比如下圖所示：
（數(shù)據(jù)源于TC VIEW，OFweek維科網(wǎng)·電子工程制圖）
在高端光刻膠產(chǎn)品領(lǐng)域，日本廠商在ArF、KrF光刻膠市場的市占率分別為93％、80％，幾乎完全壟斷了整個(gè)高端市場，并且日企JSR及東京應(yīng)化已經(jīng)可以供應(yīng)10nm以下半導(dǎo)體芯片制造行業(yè)的EUV極紫外光刻膠。
如今，全球的光刻膠市場仍在穩(wěn)定增長中，知名咨詢服務(wù)公司TECHCET曾預(yù)測，2021年半導(dǎo)體制造所需的光刻膠市場規(guī)模將同比增長11％，達(dá)到19億美元。在2020年和2021年的光刻膠市場中，KrF和浸入式ArF的市場份額占比較高。對于EUV光刻膠市場，應(yīng)用范圍正在從邏輯芯片擴(kuò)展到DRAM。2021年的EUV光刻膠市場將超過2000萬美元，并且此后還將繼續(xù)增長，預(yù)計(jì)到2025年將超過2億美元。
國內(nèi)對于光刻膠領(lǐng)域也尤為重視。在2020年9月，國家發(fā)改委等四部門聯(lián)合印發(fā)《關(guān)于擴(kuò)大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)投資 壯大新增長點(diǎn)增長極的指導(dǎo)意見》提出，加快在光刻膠、高純靶材、高溫合金、高性能纖維材料、高強(qiáng)高導(dǎo)耐熱材料、耐腐蝕材料、大尺寸硅片、電子封裝材料等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破，以保障大飛機(jī)、微電子制造、深海采礦等重點(diǎn)領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈穩(wěn)定。
同時(shí)，在去年年初，央視新聞更是發(fā)表了“光刻膠靠搶！進(jìn)口芯片漲價(jià)20％”的報(bào)道；報(bào)道指出，在我國半導(dǎo)體工業(yè)中，下游設(shè)計(jì)已經(jīng)能夠進(jìn)入全球第一梯隊(duì)，中游晶圓制造也在迎頭趕上，而上游設(shè)備及材料領(lǐng)域與海外龍頭仍存在較大差距。中國本土光刻膠整體技術(shù)水平與國際先進(jìn)水平存在較大差距，自給率僅約10％，且主要集中在技術(shù)含量較低的PCB光刻膠領(lǐng)域。
以往企業(yè)采購光刻膠的量每次都在100多公斤，近期由于原材料緊缺，企業(yè)每次只能買到很少的量（10－20公斤）。一旦全球芯片短缺引發(fā)上游芯片材料供應(yīng)緊張，光刻膠難以進(jìn)口，國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)將會(huì)出現(xiàn)“無膠可用”的情況。
截止目前，國內(nèi)的多個(gè)光刻膠企業(yè)中，只有彤程新材旗下的子公司北京科華能實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)KrF光刻膠，且是唯一被SEMI列入全球光刻膠八強(qiáng)的中國光刻膠公司。
此外，南大光電是研發(fā)出全國第一只通過產(chǎn)品認(rèn)證的國產(chǎn)ArF光刻膠的半導(dǎo)體上市企業(yè)。
在今年半年報(bào)中，南大光電披露，193nm光刻膠作為當(dāng)前高端芯片制造中最為核心的原材料，被譽(yù)為半導(dǎo)體工業(yè)的“血液”，可以用于90nm～14nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的集成電路制造工藝。
截至今年6月底，公司安裝完成一條193nm光刻膠生產(chǎn)線，用于產(chǎn)品檢測的光刻機(jī)也已完成安裝，產(chǎn)線和光刻機(jī)均處于調(diào)試階段。
上述項(xiàng)目投資6．56億元，根據(jù)規(guī)劃，南大光電將達(dá)到年產(chǎn)25噸193nm（ArF干式和浸沒式）光刻膠產(chǎn)品的生產(chǎn)規(guī)模，以滿足集成電路行業(yè)的需求。
市場認(rèn)為，ArF光刻膠的市場前景好于預(yù)期。隨著國內(nèi)IC行業(yè)的快速發(fā)展，自主創(chuàng)新和國產(chǎn)化步伐的加快，以及先進(jìn)制程工藝的應(yīng)用，將大大拉動(dòng)光刻膠的用量。
南大光電表示，目前與客戶的產(chǎn)品銷售與服務(wù)協(xié)議尚在協(xié)商之中。同時(shí)，ArF光刻膠的復(fù)雜性決定了其在穩(wěn)定量產(chǎn)階段仍然存在工藝上的諸多風(fēng)險(xiǎn)，其在應(yīng)用工藝的改進(jìn)、完善等方面的表現(xiàn)，都會(huì)決定ArF光刻膠的量產(chǎn)規(guī)模和經(jīng)濟(jì)效益。
可以看出，在半導(dǎo)體原材料領(lǐng)域，國產(chǎn)替代化進(jìn)程正有序進(jìn)行中，未來實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體領(lǐng)域全面自主可控，指日可待。
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