眾所周知，當(dāng)前全球只有ASML一家能夠生產(chǎn)EUV光刻機(jī)，甚至可以說很長一段時間內(nèi)，全球也只有ASML能夠生產(chǎn)光刻機(jī)，不會有第二家。

原因在于ASML把EUV光刻機(jī)的路堵住了，這條路別人是走不通的。

ASML與全球眾多的供應(yīng)鏈，形成了捆綁關(guān)系，像蔡司等與ASML形成了利益共同體，EUV光刻機(jī)中，蔡司等廠商至關(guān)重要，掌握核心科技，缺少這些供應(yīng)鏈，其它廠商不可能制造出EUV光刻機(jī)。

所以，目前眾多的其它光刻機(jī)企業(yè)，并不打算走EUV光刻機(jī)這條路，在另尋它路。

同樣的，國產(chǎn)光刻機(jī)基本上也走不通EUV這條路，只能另尋他路，而從現(xiàn)在的情況來看，目前主流上有三條路，這三條路都能實現(xiàn)EUV光刻機(jī)的效果。

第一條路是電子束光刻——用電子束在硅片上進(jìn)行雕刻。

這條路的優(yōu)點是精細(xì)，分辨率高，比EUV光刻機(jī)還要高，美國公司Zyvex Labs生產(chǎn)出了這樣的光刻機(jī)，實現(xiàn)0．768nm芯片的光刻，但缺點是產(chǎn)能低，效率低，無法大規(guī)模量產(chǎn)芯片，只能實驗室用，但也不失為一條新的路。

第二條路是納米壓印，也稱NIL技術(shù)。原理是電路圖設(shè)計出來后，刻在納米板上，再像印書一樣壓印在硅片上。

這種的優(yōu)點非常多，比如功率遠(yuǎn)比EUV光刻機(jī)低，一臺EUV光刻機(jī)一年要用1000萬度電，但這種NIL技術(shù)能耗減少90％，且制造成本比EUV光刻機(jī)低40％。

缺點是目前精度不夠，遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到7nm、5nm的級別，大約還處于28－40nm及以上，但未來精度提高后，替代EUV完全可行。

還有一種是自組裝（DSA）光刻，這種技術(shù)比較神奇，就是用一些化學(xué)材料，直接在硅晶圓上，操縱這些材料，把芯片的電路圖刻畫出來，比如不要的部分用材料腐蝕掉……

但這種技術(shù)，目前還遠(yuǎn)遠(yuǎn)看不到量產(chǎn)的希望，這種神奇的化學(xué)材料不好找，但美國、歐洲等實驗室據(jù)說有了進(jìn)展，不過短時間內(nèi)肯定沒戲，只能在科幻劇中看到。

很明顯，目前看起來最可靠的，還是NIL納米壓印技術(shù)，完全有替代EUV光刻機(jī)的可能性，目前國內(nèi)也在研究這個技術(shù)。

不過研究最好的還是日本的佳能，佳能在NIL技術(shù)上專利全球最多，且已經(jīng)有了量產(chǎn)機(jī)器，目前在改進(jìn)精度，希望國產(chǎn)加油，也能夠趕緊推出NIL光刻機(jī)出來，那樣我們的芯片就不怕被卡脖子了。

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