據(jù) Tom's Hardware 看到的一份文件顯示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在準(zhǔn)備其下一代 3D NAND 閃存架構(gòu) ——Xtacking 4.0。該公司沒(méi)有計(jì)劃增加目前正在開發(fā)的兩款 Xtacking 4.0 器件的層數(shù)，但隨著時(shí)間的推移，該系列可能會(huì)變得更廣泛。

晶棧 Xtacking 是長(zhǎng)江存儲(chǔ)核心技術(shù)品牌，可實(shí)現(xiàn)在兩片獨(dú)立的晶圓上加工外圍電路和存儲(chǔ)單元，這樣有利于選擇更先進(jìn)的邏輯工藝，從而讓 NAND 獲取更高的 I / O 接口速度及更多的操作功能。當(dāng)兩片晶圓各自完工后，晶棧 Xtacking 技術(shù)只需一個(gè)處理步驟即可通過(guò)數(shù)十億根垂直互聯(lián)通道（VIA）將兩片晶圓鍵合，合二為一。

報(bào)道稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)目前已向一些業(yè)內(nèi)同行披露的 Xtacking 4.0 產(chǎn)品陣容，包括 128 層 X4-9060 3D TLC 和 232 層 X4-9070 3D TLC NAND 器件，這些器件最終可用于構(gòu)建一些更高端的 SSD。

該公司計(jì)劃對(duì)兩者都使用串堆疊（string stacking）。因此從技術(shù)上來(lái)說(shuō)，它將生產(chǎn)具有 64 和 116 個(gè)有源層的 3D NAND 陣列，這使得晶圓廠設(shè)備制造商能夠繼續(xù)為其提供必要的工具。

目前尚不清楚長(zhǎng)江存儲(chǔ)的 Xtacking 4.0 閃存將帶來(lái)哪些優(yōu)勢(shì)，但長(zhǎng)江存儲(chǔ)通常會(huì)在每個(gè)新節(jié)點(diǎn)上提高數(shù)據(jù)傳輸速率和存儲(chǔ)密度。