據(jù) Tom's Hardware 看到的一份文件顯示，長江存儲正在準備其下一代 3D NAND 閃存架構(gòu) ——Xtacking 4.0。該公司沒有計劃增加目前正在開發(fā)的兩款 Xtacking 4.0 器件的層數(shù)，但隨著時間的推移，該系列可能會變得更廣泛。
晶棧 Xtacking 是長江存儲核心技術(shù)品牌，可實現(xiàn)在兩片獨立的晶圓上加工外圍電路和存儲單元，這樣有利于選擇更先進的邏輯工藝，從而讓 NAND 獲取更高的 I / O 接口速度及更多的操作功能。當兩片晶圓各自完工后，晶棧 Xtacking 技術(shù)只需一個處理步驟即可通過數(shù)十億根垂直互聯(lián)通道（VIA）將兩片晶圓鍵合，合二為一。
報道稱，長江存儲目前已向一些業(yè)內(nèi)同行披露的 Xtacking 4.0 產(chǎn)品陣容，包括 128 層 X4-9060 3D TLC 和 232 層 X4-9070 3D TLC NAND 器件，這些器件最終可用于構(gòu)建一些更高端的 SSD。
該公司計劃對兩者都使用串堆疊（string stacking）。因此從技術(shù)上來說，它將生產(chǎn)具有 64 和 116 個有源層的 3D NAND 陣列，這使得晶圓廠設(shè)備制造商能夠繼續(xù)為其提供必要的工具。
目前尚不清楚長江存儲的 Xtacking 4.0 閃存將帶來哪些優(yōu)勢，但長江存儲通常會在每個新節(jié)點上提高數(shù)據(jù)傳輸速率和存儲密度。
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