《電子技術(shù)應(yīng)用》
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消息稱三星正改善半導(dǎo)體封裝工藝

非導(dǎo)電膠過渡至模塑底部填膠
2024-02-21
來源:IT之家

根據(jù)韓媒 ETNews 報道,三星電子正計劃升級工藝,將非導(dǎo)電膠(NCF)更改為模塑底部填膠(MUF),從而實現(xiàn)更先進(jìn)的封裝工藝。

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三星過去一直使用非導(dǎo)電膠來垂直連接半導(dǎo)體。NCF 可在半導(dǎo)體之間形成一層耐用薄膜,從而防止芯片輕易彎曲。NCF 曾被用作支持 TSV 的關(guān)鍵材料,但也因難以處理、生產(chǎn)效率較低而不被認(rèn)可。

報道稱三星電子計劃在硅通孔(through-silicon electrode,TVS)加工過程中,引入使用 MUF 材料。

TVS 加工通俗來說,就是在晶圓(Wafer)或者裸晶(Die)上穿出數(shù)千個小孔,實現(xiàn)硅片堆疊的垂直互連通道。而 MUF 就是上下連接,縮小半導(dǎo)體之間間隙的材料,有助于緊密凝固和結(jié)合各種垂直堆疊的半導(dǎo)體。

從報道中獲悉,三星電子已經(jīng)能夠從日本購買了 MUF 相關(guān)的設(shè)備,通過這一新變化,三星似乎希望改進(jìn)工藝并提高生產(chǎn)率。

SK Hynix 在第二代 HBM 之前也一直使用 NCF,但從第三代(HBM2E)開始直接改用 MUF,特別是采用 MR-MUF。

業(yè)界某相關(guān)人士表示:"MR-MUF 方式與 NCF 相比,導(dǎo)熱率高出 2 倍左右,不僅對于工藝速度,還是良率等都有很大影響。"


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