3 月 6 日消息，固態(tài)技術(shù)協(xié)會 JEDEC 今日正式發(fā)布 JESD239 GDDR7 顯存標(biāo)準(zhǔn)（Graphics Double Data Rate），JESD239 GDDR7 提供的帶寬是 GDDR6 的兩倍，每臺設(shè)備最高可達(dá) 192 GB/s。
據(jù)介紹，JESD239 GDDR7 是第一個(gè)使用脈幅調(diào)制（Pulse Amplitude Modulation，PAM）接口進(jìn)行高頻操作的 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn) DRAM。其 PAM3 接口提高了高頻操作的信噪比（SNR），同時(shí)提高了能源效率。通過使用 3 個(gè)級別（+1，0，-1）在 2 個(gè)循環(huán)上傳輸 3 個(gè)比特，而傳統(tǒng)的 NRZ（不歸零）接口在 2 個(gè)周期上傳輸 2 個(gè)比特，PAM3 提供了更高的每循環(huán)數(shù)據(jù)傳輸速率，從而提高了性能。
JESD239 GDDR7 的其他高級功能包括：
具有眼圖掩蔽和錯(cuò)誤計(jì)數(shù)器的核心獨(dú)立 LFSR（線性反饋移位寄存器）訓(xùn)練模式，可提高訓(xùn)練準(zhǔn)確性，同時(shí)減少訓(xùn)練時(shí)間。
獨(dú)立通道數(shù)量翻倍，從 GDDR6 中的 2 個(gè)增加到 GDDR7 中的 4 個(gè)。
支持 16 Gbit 至 32 Gbit 密度，包括支持 2 通道模式以使系統(tǒng)容量加倍。
通過整合最新的數(shù)據(jù)完整性功能，包括帶實(shí)時(shí)報(bào)告的片上 ECC（ODECC）、數(shù)據(jù)中毒、錯(cuò)誤檢查和清理以及帶命令阻塞的命令地址奇偶校驗(yàn)（CAPARBLK），滿足 RAS（可靠性、可用性、可維護(hù)性）的市場需求。
JEDEC 董事會主席 Mian Quddus 表示：“JESD239 GDDR7 標(biāo)志著高速顯存設(shè)計(jì)的重大進(jìn)步。隨著向 PAM3 信號的轉(zhuǎn)變，顯存行業(yè)有了一條新的途徑來擴(kuò)展 GDDR 設(shè)備的性能，并推動圖形和各種高性能應(yīng)用的不斷發(fā)展。”
JEDEC GDDR 小組委員會主席 Michael Litt 說道：“GDDR7 是首款不僅專注于帶寬，而且通過整合最新數(shù)據(jù)完整性功能來滿足 RAS 市場需求的 GDDR，這些功能使 GDDR 設(shè)備能夠更好地服務(wù)云游戲和計(jì)算等現(xiàn)有市場，并擴(kuò)展到 AI。”
從公告中獲悉，AMD、美光、英偉達(dá)、三星、SK 海力士都對該標(biāo)準(zhǔn)表示了支持。此外，三星和美光都已經(jīng)制定了下一代 GDDR7 模塊的開發(fā)計(jì)劃。三星的目標(biāo)是 32 Gbps 速度，實(shí)現(xiàn) 1.6 倍的性能提升；而美光的目標(biāo)也是 24 Gb+ 32 Gbps 芯片。美光在最新的路線圖中還表示，到 2026 年，將推出高達(dá) 36 Gbps 和 24Gb+ 的顯存芯片。
