引言

近年來伴隨著航空航天領(lǐng)域的不斷發(fā)展，獲取到的空間信息的種類也越來越多，數(shù)據(jù)量急劇增加，對數(shù)據(jù)存儲裝置存儲速度和可靠性帶來了更大的挑戰(zhàn)。NAND Flash具有體積小、容量大、成本低、可多次擦除等優(yōu)點，在數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。近年來，大多數(shù)存儲裝置采用多片F(xiàn)lash組成陣列，并采用流水線的存儲機制來實現(xiàn)高速大容量的數(shù)據(jù)存儲[1]。其中鎂光半導(dǎo)體公司Luca Nubile等人提出了一種針對Flash存儲陣列的多線程控制算法，該算法對系統(tǒng)的邏輯開銷、存儲速度和容量等性能就行了優(yōu)化[2]； 俄羅斯的Puryga等人研發(fā)的湯姆遜散射診斷數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)同樣包含多片存儲單元，它允許以5 GHz采樣率采集八通道數(shù)據(jù)[3]；但由于NAND Flash生產(chǎn)過程中工藝等問題，每片F(xiàn)lash都不可避免存在無效塊，而且無效塊數(shù)量不定，地址隨機[4]。這對Flash陣列數(shù)據(jù)存儲的可靠性帶來了一定的影響。若采用單片F(xiàn)lash壞塊的管理方法，在往Flash中存儲數(shù)據(jù)之前對每一塊進行掃描，并生成壞塊信息表，這種方法應(yīng)用在Flash陣列的壞塊檢測中時，會極大地限制存儲速度，占用過多的內(nèi)部資源。

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作者信息：

焦新泉1，2，朱振麟1，2

1.中北大學(xué) 儀器科學(xué)與動態(tài)測試教育部重點實驗室  中北大學(xué) 電子測試技術(shù)國家重點實驗室