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第9代V-NAND閃存
4 月 12 日消息，據韓媒 Hankyung 報道，三星最快于本月晚些時候實現第 9 代 V-NAND 閃存的量產。
三星高管 Jung-Bae Lee 去年 10 月表示，其下一代 NAND 閃存將于“今年初”量產，擁有業界領先的堆疊層數。
三星于 2022 年 11 月量產了 236 層第 8 代 V-NAND，這意味著兩代之間的間隔為一年半左右。
▲ 三星第 8 代 V-NAND 閃存
Hankyung 稱第 9 代 V-NAND 閃存的堆疊層數將是 290 層，不過IT之家早前報道中提到，三星在學術會議上展示了 280 層堆疊的 QLC 閃存，該閃存 IO 接口速率達到 3.2GB/s。
三星在第 9 代 V-NAND 上將沿用雙閃存堆棧的結構，以實現更簡單的工序和更低的制造成本。而在預計明年推出的第 10 代 V-NAND 閃存上，三星將換用三堆棧結構。
新的結構將進一步提升 3D 閃存的最大可能堆疊層數，不過也會在堆棧對齊方面引入更多的復雜性，SK 海力士明年量產的 321 層 NAND 閃存就將使用這一結構 。
半導體行業觀察機構 TechInsights 表示三星的第 10 代 V-NAND 閃存有望達到 430 層，進一步提升堆疊方面的優勢。
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