4 月 25 日消息，臺積電在近日公布的 2023 年報中表示，其背面供電版 N2 制程節點定于 2025 下半年向客戶推出，2026 年實現正式量產。
臺積電表示其 N2 制程將引入其 GAA 技術實現 —— 納米片（Nanosheet）結構，在性能和能效方面都提升一個時代，預計于 2025 年啟動量產。
而引入背面電軌（Backside Power Rail）方案的 N2 衍生版本“最適用于高效能運算相關應用”，將在標準版 N2 后投入商用。
傳統芯片采用自下而上的制造方式，先制造晶體管再建立用于互連和供電的線路層。但隨著制程工藝的收縮，傳統供電模式的線路層越來越混亂，對設計與制造形成干擾。
背面供電將芯片供電網絡轉移至晶圓背面，可簡化供電路徑，解決互連瓶頸，減少供電對信號的干擾，最終可降低平臺整體電壓與功耗。
臺積電在先進制程代工領域的兩大對手也在積極布局背面供電技術。
其中英特爾將在今年上半年的 Intel 20A 節點導入背面供電；另據以往報道，三星也有望在 2025 年的 SF2 節點應用此技術。
換句話說，2nm 制程將成為背面供電進入商業應用的標志節點。
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