4 月 28 日消息，三星半導體日前宣布量產第九代 V-NAND 1Tb TLC 產品，位密度（bit density）比上一代產品提高約 50%，通過通道孔蝕刻技術（channel hole etching）提高生產效率。

第九代 V-NAND 采用雙重堆疊技術，在旗艦 V8 閃存的 236 層基礎上，再次達到了 290 層，主要面向大型企業服務器以及人工智能和云設備。

而業內消息稱三星計劃明年推出第 10 代 NAND 芯片，采用三重堆疊技術，達到 430 層，進一步提高 NAND 的密度，并鞏固和擴大其領先優勢。

市場研究公司 Omdia 預計，NAND 閃存市場在 2023 年下降 37.7% 后，預計今年將增長 38.1%。為了在快速增長的市場中占據一席之地，三星誓言要大力投資 NAND 業務。

此前三星高管表示，該公司的目標是到 2030 年開發超過 1000 層的 NAND 芯片，以實現更高的密度和存儲能力。