5 月 23 日消息，據(jù)荷蘭媒體 Bits&Chips 報(bào)道，ASML 顧問(wèn)、前任 CTO 馬丁?范登布林克（Martin van den Brink）近日稱(chēng)，這家光刻機(jī)制造商考慮推出一個(gè)通用 EUV 光刻平臺(tái)。
范登布林克在本月 21~22 日舉行的 2024 年度 imec ITF World 技術(shù)論壇上表示：
我們提出了一個(gè)長(zhǎng)期（也許十年）的路線圖：我們將擁有一個(gè)包含 Low NA（0.33NA）、High NA（0.55NA）和 Hyper NA（預(yù)計(jì)為 0.7NA 以上） EUV 系統(tǒng)的單一平臺(tái)。
根據(jù)瑞利判據(jù)公式，更高的數(shù)值孔徑意味著更好的光刻分辨率。
范登布林克表示，未來(lái)的 Hyper NA 光刻機(jī)將簡(jiǎn)化先進(jìn)制程生產(chǎn)流程，規(guī)避通過(guò) High NA 光刻機(jī)雙重圖案化實(shí)現(xiàn)同等精度帶來(lái)的額外步驟與風(fēng)險(xiǎn)。
多種 EUV 光刻機(jī)共用一個(gè)基礎(chǔ)平臺(tái)，在降低開(kāi)發(fā)成本的同時(shí)，也便于將 Hyper-NA 機(jī)臺(tái)的技術(shù)改進(jìn)向后移植到數(shù)值孔徑更低的光刻機(jī)上。
根據(jù) IT 之家此前報(bào)道，ASML 最新的 0.33NA EUV 光刻機(jī) —— NXE:3800E 就導(dǎo)入了為 High NA 光刻機(jī)開(kāi)發(fā)的快速載物臺(tái)移動(dòng)系統(tǒng)。
▲ 馬丁?范登布林克像。圖源 imec 官方領(lǐng)英賬戶(hù)動(dòng)態(tài)
此外，ASML 還計(jì)劃將其 DUV 和 EUV 光刻機(jī)的晶圓吞吐量從目前的每小時(shí) 200~300 片增加到每小時(shí) 400~500 片，從而提升單臺(tái)光刻機(jī)的生產(chǎn)效率，在另一個(gè)側(cè)面降低行業(yè)成本。
在演講中范登布林克還提到：" 當(dāng)前人工智能的發(fā)展趨勢(shì)表明，消費(fèi)者對(duì)多種應(yīng)用有著強(qiáng)烈的需求。而限制需求的因素包括能耗、計(jì)算能力和所需的海量數(shù)據(jù)集。"
