6 月 5 日消息，今年 2 月，@Tech_Reve 曾爆料稱，高通驍龍 8 Gen 4 等今年的旗艦芯片都將基于臺(tái)積電 3nm 工藝制造，而明年推出的驍龍 8 Gen 5 將會(huì)同時(shí)采用臺(tái)積電 + 三星電子生產(chǎn)。
在昨日于臺(tái)北國際電腦展舉行的一次媒體發(fā)布會(huì)上，高通 CEO 克里斯蒂亞諾?安蒙在回答一位記者有關(guān)“依賴臺(tái)積電生產(chǎn)智能手機(jī)芯片的風(fēng)險(xiǎn)”時(shí)表示，他正考慮讓臺(tái)積電與三星電子實(shí)施雙源生產(chǎn)戰(zhàn)略。
安蒙表示：“目前的首要任務(wù)是專注于臺(tái)積電的代工生產(chǎn)，但讓一家公司同時(shí)處理這兩個(gè)方面可能需要付出巨大努力。” 他歡迎與臺(tái)積電和三星電子繼續(xù)合作，并表示將繼續(xù)支持這種方式。
眾所周知，初代驍龍 8 芯片便是由三星電子代工，但由于過熱等問題后續(xù)又轉(zhuǎn)向了臺(tái)積電。然而，隨著剛剛發(fā)布的驍龍 X Elite 芯片需求急劇增加，高通似乎不得不再次考慮與三星進(jìn)行合作。
此外，高通內(nèi)部也對(duì)三星電子下一代 2nm 工藝制程表示贊賞，并正在考慮重新分配產(chǎn)能，以實(shí)現(xiàn)其制造過程的多元化。
@Tech_Reve 曾爆料稱，高通計(jì)劃繼續(xù)讓臺(tái)積電來生產(chǎn)驍龍 8 Gen 5 芯片（N3E），而用于 Galaxy S26 系列手機(jī)的驍龍 8 Gen 5 for Galaxy 芯片將采用三星 SF2P 工藝。
注：與 SF3 相比，SF2 工藝可以在相同的頻率和復(fù)雜度下提高 25% 的功耗效率，在相同的功耗和復(fù)雜度下提高 12% 的性能，在相同的性能和復(fù)雜度下減少 5% 的面積。
為了讓 SF2 工藝更具競(jìng)爭(zhēng)力，三星還將為該工藝提供一系列先進(jìn)的 IP 組合，包括 LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6 和 112G SerDes 等。
而 SF2P 是在 SF2 工藝基礎(chǔ)上，針對(duì)高性能計(jì)算（HPC）再次優(yōu)化，預(yù)估在性能方面會(huì)有更大的改進(jìn)。
