6月9日消息，據媒體報道，中國科學家成功開發出一種無疲勞鐵電材料，并在國際頂級學術期刊《Science》上發表研究成果。
傳統存儲芯片因鐵電材料存在讀寫次數限制，穩定性隨使用時間推移而降低，這一問題長期制約著存儲芯片的進一步研發和應用。
研究團隊基于二維滑移鐵電機制，開發出一種新型的二維層狀滑移鐵電材料（3R-MoS2），該材料制備的存儲芯片有望突破讀寫次數限制，實現無限次讀寫。
該研究的核心在于利用"層間滑移"替代傳統鐵電材料的"離子移動"，通過AI輔助的跨尺度原子模擬分析，揭示了二維滑移鐵電材料抗疲勞的微觀物理機制。
實驗表明，采用該材料制備的鐵電芯片器件在經歷400萬次循環電場翻轉極化后，電學曲線測量顯示鐵電極化仍未出現衰減。
此項技術不僅極大提升了存儲芯片的可靠性和耐久性，還有助于降低成本，提升存儲密度，未來有望在航空航天、深海探測等極端環境應用以及可穿戴設備、柔性電子技術等領域發揮重要作用。
傳統鐵電材料和二維滑移鐵電材料的疲勞特性
3R-MoS2鐵電器件的抗疲勞性能分析
3R-MoS2鐵電器件的疲勞特性
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