7 月 31 日消息，韓媒 ZDNet Korea 報(bào)道稱(chēng)，三星電子 V9 NAND 閃存的 QLC 版本尚未獲得量產(chǎn)許可，對(duì)平澤 P4 工廠(chǎng)的產(chǎn)線(xiàn)建設(shè)規(guī)劃造成了影響。

三星電子今年 4 月宣布其 V9 NAND 閃存的 1Tb 容量 TLC 版本實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，對(duì)應(yīng)的 QLC 版本則將于今年下半年進(jìn)入量產(chǎn)階段。

然而直到現(xiàn)在，三星電子并未對(duì) V9 QLC NAND 閃存下達(dá) PRA（IT之家注：應(yīng)指 Production Readiness Approval）量產(chǎn)就緒許可。而容量更高、成本更低的 QLC 閃存目前正是 AI 推理服務(wù)器存儲(chǔ)需求的熱點(diǎn)。

明星產(chǎn)品前景不明，使得三星電子內(nèi)部對(duì)是否將平澤 P4 工廠(chǎng)第一階段完全用于 NAND 生產(chǎn)存在不同聲音。

▲ 三星電子平澤園區(qū)

根據(jù)三星電子此前的規(guī)劃，平澤 P4 工廠(chǎng)將成為一個(gè)綜合性的半導(dǎo)體生產(chǎn)中心，其包含四個(gè)階段，可制造邏輯、NAND、DRAM 等產(chǎn)品，

其中 P4 工廠(chǎng)的第一階段用于 NAND 生產(chǎn)、第二階段用于邏輯代工、第三和第四階段用于 DRAM 制造。

不過(guò)由于晶圓代工訂單數(shù)量不足，而以 HBM 為代表的 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品需求火爆，三星電子已于上半年調(diào)整了平澤 P4 工廠(chǎng)投資計(jì)劃，先行建設(shè) DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線(xiàn)，延后邏輯代工線(xiàn)建設(shè)。

三星電子目前在平澤 P4 工廠(chǎng)第一階段的 NAND 產(chǎn)能為每月 10000 片晶圓，此前提出了到明年將月度晶圓投片量提升至 45000 片的目標(biāo)。

但 V9 QLC NAND 并未及時(shí)得到量產(chǎn)許可，導(dǎo)致有內(nèi)部人士認(rèn)為應(yīng)該將第一階段的部分建設(shè)面積用于前景更明確的 DRAM 生產(chǎn)。