當地時間9月5日，美國商務部工業和安全局（BIS）在《聯邦公報》上發布了一項臨時最終規則（IFR），加強了對量子計算、先進半導體制造、GAAFET等相關技術的出口管制。
具體來說，該IFR 涵蓋了：量子計算、相關組件和軟件；先進的半導體制造；用于開發超級計算機和其他高端設備的高性能芯片的環繞柵極場效應晶體管 (GAAFET) 技術；以及用于制造金屬或金屬合金部件的增材制造工具。
1、量子計算相關：
隨著具有更多量子位的更大型的量子計算機的開發，控制電路必須在低溫恒溫器內移動以減少這些延遲。目前，傳統CMOS器件的一般溫度下限為-40°C（233K）。CMOS設計目前正在開發中，以適用于在4K或以下溫度下工作，用于量子計算。出于這些原因，BIS在CCL中添加了3A901.a，以控制3A001.a.2中未指定的CMOS集成電路，這些電路設計用于在等于或低于4.5 K（-268.65°C）的環境溫度下運行。這一補充附帶了一份技術說明，主要限制“低溫CMOS或低溫CMOS集成電路。”
量子計算項目中的一個關鍵功能是讀取非常微弱的信號的能力。為了執行該功能，量子比特和信號放大器需要冷卻到非常低的溫度以抑制噪聲。因此，BIS在CCL中添加了3A901.b，以控制在極低溫度、指定頻率和噪聲系數參數下工作的參數信號放大器。還添加了一個注釋和一個技術注釋，說明“參數信號放大器包括行波參數放大器（TWPA）”和“參數信號功放也可稱為量子限幅放大器（QLA）。”根據3A901.a規定的CMOS集成電路和3A901.b規定的參數信號放大器需要獲得所有目的地的許可證。
此外，量子計算芯片所需的低溫晶圓探測設備（3B904）也被進一步限制。低溫晶圓探測器的目標是擴大基于固態量子位和其他類型量子位的量子計算。低溫量子器件、電子學和探測器的發展可以從低溫晶片探測器提供的更好的器件特性中受益。某些低溫晶片探測器將加快被測量子比特器件的測試和表征（大容量數據的收集）。這在開發過程中提供了一個明顯的優勢，傳統上，低溫測試需要更多的時間。出于這個原因，BIS認為，這些設備需要出口管制。因此，BIS正在CCL中添加ECCN 3B904，以控制指定的低溫晶片探測設備。根據國家安全控制和許可證審查政策集的規定，ECCN 3B904中指定的項目對所有目的地的NS和RS進行控制。
2、GAAFET及相關
針對3nm以下制程所需要采用的GAAFET，BIS在通用許可證中增加了兩項授權，以補充第736部分第4號通用命令的第1項，即GAAFET出口、再出口和轉讓（國內）到目前與美國工業合作的實體，目的地為EAR國家組A:5或A:6中指定的目的地，以及ECCN 3E905中指定的GAAFET“技術”和“軟件”的視同出口和視同再出口到已受雇于實體的外籍員工或承包商，其最近的公民身份或永久居留權是國家組中指定的目標。
另外，由于美國此前已經對GAAFET設計軟件進行了出口管制，因此，與GAAFET相關的制造設備此次也一并受到了限制。
3、半導體設備
3B001用于制造半導體器件、材料或相關設備的設備，如下（見受控物品清單）及其“特殊設計”的“組件”和“配件”：
基于列表的許可證例外（有關所有許可證例外的描述，請參閱第740部分）
LVS:500，3B001.a.4、c、d、f.1.b、j至p中規定的半導體制造設備除外。
GBS：a.3（使用氣體源的分子束外延生長設備）、c.1.a（為各向同性干法蝕刻設計或修改的設備）、c.1.c（為各向異性干法蝕刻設計和修改的設備”）、.e（僅當連接到由3B001.a.3或.f控制的設備時才自動裝載多腔中央晶片處理系統）、.f（光刻設備）和.q（為集成電路設計的“EUV”掩模和掩模，未在3B001.g中指定，并具有3B001.j中指定的掩模“基板空白”）除外。
IEC：3B001.c.1.a、c.1.c和.q為是，見《出口管理條例》第740.2（a）（22）條和第740.24條。
STA的特殊條件
STA：許可證例外STA不得用于將3B001.c.1.a、c.1.c或.q運送到國家組a:5或a:6中列出的任何目的地（見EAR第740部分補充1）。
受控項目清單：
相關控制：另見3B903和3B991
相關定義：無
項目：
a.設計用于外延生長的設備如下：
a.1.設計或改裝的設備，用于在75毫米或更長的距離內生產厚度均勻小于±2.5%的硅以外的任何材料層；
注：3B001.a.1包括原子層外延（ALE）設備。
a.2：金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）反應器，設計用于化合物半導體外延生長具有以下兩種或多種元素的材料：鋁、鎵、銦、砷、磷、銻或氮；
a.3：使用氣體或固體源的分子束外延生長設備；
a.4：為硅（Si）、碳摻雜硅、硅鍺（SiGe）或碳摻雜SiGe外延生長并且具有以下所有特性：
a.4.a.多個腔室，并在工藝步驟之間保持高真空（等于或小于0.01 Pa）或惰性環境（水和氧氣分壓小于0.01帕）；
a.4.b.至少一個預清潔室，其設計用于提供表面處理裝置以清潔晶片的表面；和
a.4.c.外延沉積操作溫度為685°c或以下；
b.設計用于離子注入的半導體晶片制造設備，具有以下任何一項：
b.1：[保留]
b.2：被設計和優化為在20keV或更高的束能量和10mA或更大的束電流下工作，用于氫、氘或氦注入；
b.3：直接寫入能力；
b.4：用于將高能氧注入加熱的半導體材料“基板”的65keV或更高的束能量和45mA或更高束電流；或
b.5：被設計和優化為在20keV或更高的束能和10mA或更大的束流下工作，用于將硅注入加熱到600?C或更高溫度的半導體材料“基板”；
c.蝕刻設備：
c.1：設計用于干法蝕刻的設備如下：
c.1.a.為各向同性干法蝕刻而設計或修改的設備，其最大“硅鍺對硅（SiGe:Si）蝕刻選擇性”大于或等于100:1；或
c.1.b.為介電材料的各向異性蝕刻而設計或修改的設備，能夠制造縱橫比大于30:1、頂面橫向尺寸小于100nm的高縱橫比特征，并具有以下所有特征：
c.1.b.1：具有至少一個脈沖RF輸出的射頻（RF）電源；和
c.1.b.2：一個或多個切換時間小于300毫秒的快速氣體切換閥；或
c.1.c：為各向異性干法蝕刻而設計或修改的設備，具有以下所有特征；
c.1.c.1：具有至少一個脈沖RF輸出的射頻（RF）電源；
c.1.c.2：一個或多個切換時間小于300毫秒的快速氣體切換閥；和
c.1.c.3：帶有二十個或更多可單獨控制的可變溫度元件的靜電卡盤；
c.2：設計用于濕化學處理的設備，其最大“硅鍺對硅（SiGe:Si）蝕刻選擇性”大于或等于100:1；
注1:3B001.c包括“自由基”、離子、順序反應或非順序反應的蝕刻。
注2:3B001.c.1.c包括使用RF脈沖激發等離子體、脈沖占空比激發等離子體、電極上的脈沖電壓修飾等離子體、與等離子體結合的氣體循環注入和凈化、等離子體原子層蝕刻或等離子體準原子層蝕刻的蝕刻。
4、增材制造設備（i.ECCN 2B910）
BIS對ECCN 2D910和2E910中增材制造設備（2B910）的“技術”和“軟件”的外國人實施視同出口和再出口管制。
美國工業和安全局副部長艾倫·埃斯特維茲在一份聲明中表示： “今天的行動確保我們的國家出口管制與迅速發展的技術保持同步，并且在與國際伙伴合作時更加有效。”“協調我們對量子和其他先進技術的控制，將使我們的對手更難以以威脅我們集體安全的方式開發和部署這些技術。”
有什么改變？
該規則在商務管制清單中增加了新的出口管制分類編號（ECCN），涵蓋一般產品類別和能力，而不是特定產品。
這基本上意味著，如果你想從美國出口某些類型的產品（已列入或已添加到管制清單的產品），你可能需要獲得美國政府的許可。這讓美國有能力和機會限制向某些國家（如中國、俄羅斯和伊朗）出售某些類型的技術。
例如，管制清單上的新 ECCN B910 指定了與合金制造相關的套件，因為這些物質用于生產導彈、飛機和推進系統的零件。另一個新的 ECCN 是“3A904 低溫冷卻系統和組件”，重點關注“與研究具有大量物理量子比特的量子系統相關的項目”。
這些規則增加了 18 個 ECCN，并更新了 9 個現有 ECCN。這使美國能夠與其他國家保持步調一致，主要限制向俄羅斯和伊朗等國輸送裝備。
2023 年美國國會研究服務處報告 指出，與其他政府協調出口管制對于確保此類努力取得成效至關重要。該報告稱：“協調對于旨在阻止或延遲外國收購某些商品或技術的政策的有效性至關重要。如果商品或技術很容易從外國獲得，這種控制措施的效果可能會降低。”
例如，2019 年，美國政府將中國電信制造商華為及其 114 家關聯企業列入“實體名單”，以限制華為等中企的技術。然而，在沒有國際合作伙伴的協調下，這一舉措收效甚微。因此，美國商務部工業和安全局于次年擴大了制裁范圍，以彌補國際支持帶來的缺失。
2022 年10月，美國商務部 BIS宣布新的出口管制措施，旨在遏制中國獲取先進半導體技術。隨后，在2023 年，美國、日本和荷蘭這三個領先的芯片制造國同意協調努力，阻止中國獲得先進的芯片技術。
美國商務部工業和安全局的最新出口管制似乎是加強與盟友合作的進一步例子。
美國商務部負責出口管理的助理部長西婭·羅茲曼·肯德勒 (Thea D. Rozman Kendler) 在一份聲明中表示：“保護我們國家安全的最有效方式是與志同道合的合作伙伴一起制定和協調我們的管控措施，今天的行動表明了我們在制定此類管控措施以實現國家安全目標方面的靈活性。”她還補充說，值得信賴的合作伙伴可以享受許可豁免。
中國復旦大學和哈佛商學院的學者上個月發表了一篇論文，《出口管制對目標國家的后果》，該論文發現，就2007年美國的“中國規則”政策而言，出口管制是有效的，限制了受制裁中國公司的管制商品供應。該政策限制了中國從軍事領域進口產品。
然而，美國戰略與國際研究中心2024 年 2 月發布的一份關于該主題的報告描繪了一幅更加微妙的圖景，指出了美國的經濟成本和中國的機遇。
CSIS 報告稱：“美國管制措施的成功可能取決于能否協調美國與主要盟友的限制措施，這些盟友的出口管制措施與美國的出口管制措施大相徑庭，導致存在巨大差距。總體而言，美國盟友的限制范圍較窄。”
