9 月 12 日消息，三星電子今日宣布，三星首款 1 太比特四層單元（QLC）第九代 V-NAND 已正式開始量產，而 1Tb TLC 產品已于今年 4 月開始量產。

據介紹，三星 QLC 第九代 V-NAND 實現了多項技術突破，IT之家匯總如下：

通道孔蝕刻技術（Channel Hole Etching），能夠基于雙堆棧架構實現當前業內最高的單元層數。三星運用在 TCL 第九代 V-NAND 中積累的技術經驗，優化了存儲單元面積及外圍電路，位密度比上一代 QLC V-NAND 提升約 86%。

預設模具（Designed Mold）技術，能夠調整控制存儲單元的字線（WL）間距，確保同一單元層內和單元層之間的存儲單元的特性保持一致（V-NAND 層數越多，存儲單元特性越重要）；采用預設模具技術使得數據保存性能相比之前的版本提升約 20%，增強可靠性。

預測程序（Predictive Program）技術，能夠預測并控制存儲單元的狀態變化，盡可能減少不必要的操作，讓三星 QLC 第九代 V-NAND 的寫入性能翻倍，I/O 速度提升 60%。

低功耗設計（Low-Power Design）技術，使數據讀取功耗約分別下降了約 30% 和 50%。該技術降低了驅動 NAND 存儲單元所需的電壓，能夠僅感測必要的位線（BL），從而盡可能減少功耗。

此外，三星還表示將擴大 QLC 第九代 V-NAND 的應用范圍，從品牌消費類產品開始，擴展到移動通用閃存（UFS）、個人電腦和服務器 SSD，為包括云服務提供商在內的客戶提供服務。