10 月 30 日消息，韓媒 ETNews 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日?qǐng)?bào)道稱，三星電子已決定 2025 年初引進(jìn)其首臺(tái) ASML High NA EUV 光刻機(jī)，正式同英特爾、臺(tái)積電展開(kāi)下代光刻技術(shù)商業(yè)化研發(fā)競(jìng)爭(zhēng)。
三星電子此前同比利時(shí)微電子研究中心 imec 合作，在后者與 ASML 聯(lián)手建立的 High NA EUV 光刻實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行了對(duì) High NA 光刻的初步探索；此次引入自有 High NA 機(jī)臺(tái)將加速三星的研發(fā)進(jìn)程。
▲ ASML 首代 High NA EUV 光刻機(jī) EXE:5000
考慮到精密的 High NA EUV 光刻機(jī)需要一段時(shí)間用于安裝和調(diào)試，該機(jī)臺(tái)有望最早于明年中旬投入研發(fā)使用。由于三星目前半導(dǎo)體先進(jìn)制程路線圖已規(guī)劃至 SF1.4 節(jié)點(diǎn)（注：2027 年量產(chǎn)），采用 High-NA 光刻的制程最早也需要等到 SF1。
三星在先進(jìn)制程代工領(lǐng)域的兩家主要對(duì)手中，英特爾已完成第二臺(tái) High NA EUV 光刻機(jī)安裝，臺(tái)積電的首個(gè)機(jī)臺(tái)也將于今年內(nèi)實(shí)現(xiàn)交付；此外在存儲(chǔ)領(lǐng)域，SK 海力士的首臺(tái) High NA EUV 光刻機(jī)則有望 2026 年引入。
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