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臺(tái)積電稱暫無為先進(jìn)制程導(dǎo)入High NA EUV必要
發(fā)表于：5/28/2025 1:56:15 PM
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臺(tái)積電年底前將接收首臺(tái)High NA EUV光刻機(jī)
發(fā)表于：11/5/2024 11:21:21 AM
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消息稱三星電子2025年初引進(jìn)其首臺(tái)ASML High NA EUV光刻機(jī)
發(fā)表于：10/31/2024 11:00:02 AM
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ASML確認(rèn)出貨第三臺(tái)High NA EUV光刻機(jī)
發(fā)表于：10/18/2024 9:12:55 AM
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英特爾確認(rèn)ASML第二臺(tái)High NA EUV光刻機(jī)完成安裝
發(fā)表于：10/10/2024 8:22:00 AM
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消息稱其臺(tái)積電首臺(tái)High NA EUV光刻機(jī)遠(yuǎn)低于ASML3.5億歐元報(bào)價(jià)
發(fā)表于：9/10/2024 10:50:00 AM
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SK海力士計(jì)劃2026年首次導(dǎo)入ASML High NA EUV光刻機(jī)
發(fā)表于：8/20/2024 8:19:26 AM
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imec首次成功利用High NA EUV光刻機(jī)實(shí)現(xiàn)邏輯DRAM結(jié)構(gòu)圖案化
發(fā)表于：8/8/2024 10:07:16 AM
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全球第二臺(tái)High NA EUV光刻機(jī)即將進(jìn)入英特爾奧勒岡州晶圓廠
發(fā)表于：8/7/2024 10:29:00 AM
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消息指臺(tái)積電最快2028年A14P制程引入High NA EUV光刻技術(shù)
發(fā)表于：7/30/2024 10:52:35 AM
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阿斯麥和IMEC聯(lián)合光刻實(shí)驗(yàn)室啟用
發(fā)表于：6/5/2024 8:57:42 AM
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臺(tái)積電或?qū)⑤^原計(jì)劃提前采用High NA EUV光刻機(jī)
發(fā)表于：5/29/2024 8:36:12 AM
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ASML揭秘High NA EUV：8nm分辨率，晶圓臺(tái)加速度最高32g！
發(fā)表于：1/29/2024 10:54:49 AM
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