2月19日，泛林集團(tuán)宣布推出全球首個(gè)利用金屬鉬的能力生產(chǎn)尖端半導(dǎo)體的工具ALTUS Halo，可以為先進(jìn)半導(dǎo)體器件提供卓越的特征填充和低電阻率、無(wú)空隙鉬金屬化的高精度沉積。

泛林集團(tuán)表示，ALTUS Halo是ALTUS 產(chǎn)品系列的最新成員，目前正在與所有領(lǐng)先的芯片制造商進(jìn)行資格認(rèn)證和爬坡，它代表了半導(dǎo)體金屬化新時(shí)代的轉(zhuǎn)折點(diǎn)，為未來(lái)人工智能、云計(jì)算和下一代智能設(shè)備的高級(jí)存儲(chǔ)器和邏輯芯片的擴(kuò)展鋪平了道路。

ALTUS Halo 利用鉬的潛力隨著下一代應(yīng)用的性能要求不斷提高，對(duì)更先進(jìn)半導(dǎo)體和新制造工藝的需求也在增加。金屬的逐原子沉積在當(dāng)今所有尖端芯片的制造中都是必不可少的。鎢基原子層沉積技術(shù)由泛林集團(tuán)率先提出，二十多年來(lái)一直是用于接觸和線的沉積和無(wú)空隙填充的主要金屬化技術(shù)。然而，為了在未來(lái)擴(kuò)展 NAND、DRAM 和邏輯器件，芯片制造商需要將金屬化程度轉(zhuǎn)變?yōu)槌侥壳版u集成所能實(shí)現(xiàn)的程度。憑借 ALTUS Halo，泛林集團(tuán)在半導(dǎo)體行業(yè)從鎢到鉬的過渡中發(fā)揮著領(lǐng)導(dǎo)作用。

“基于泛林集團(tuán)深厚的金屬化專業(yè)知識(shí)，ALTUS Halo 是 20 多年來(lái)原子層沉積領(lǐng)域最重大的突破，”Lam Research 高級(jí)副總裁兼全球產(chǎn)品集團(tuán)總經(jīng)理 Sesha Varadarajan 說(shuō)?！八鼌R集了泛林集團(tuán)的四站模塊架構(gòu)和 ALD 技術(shù)的新進(jìn)展，為大批量制造提供工程化的低電阻率鉬沉積，這是新興和未來(lái)芯片變化的關(guān)鍵要求，包括 1,000 層 3D NAND、4F2DRAM 和先進(jìn)的 gate-all-around logic。

鉬實(shí)現(xiàn)下一代芯片

所需的低電阻金屬化為了使半導(dǎo)體工作，快速電信號(hào)通過 3D NAND 字線等連接來(lái)發(fā)送命令。納米級(jí)特征被蝕刻，當(dāng)不能使用銅時(shí)，它們傳統(tǒng)上會(huì)填充鎢以形成必要的連接。金屬電阻率越低，信號(hào)速度越快。此外，在傳統(tǒng)的鎢基布線中，會(huì)添加額外的阻擋層以防止不必要的電氣相互作用。隨著 NAND、DRAM 和邏輯擴(kuò)展到更復(fù)雜的架構(gòu)（包括 3D 集成），電信號(hào)必須通過更嚴(yán)格的連接。這增加了瓶頸和速度變慢的可能性，在某些情況下還增加了電氣短路的可能性。

鉬是這些和未來(lái)應(yīng)用的理想金屬，因?yàn)樗诩{米級(jí)線中的電阻率低于鎢，并且不需要粘附層或阻擋層，從而減少了工藝步驟的數(shù)量，提高了效率并有助于提高芯片速度?；跀?shù)十年的金屬化和先進(jìn)開發(fā)專業(yè)知識(shí)，以及沉積技術(shù)的新創(chuàng)新，Lam 首次使鉬的 ALD 可用于大規(guī)模生產(chǎn)。在大多數(shù)情況下，與傳統(tǒng)的鎢金屬化相比，ALTUS Halo 的電阻提高了 50% 以上。

ALTUS Halo 已開始量產(chǎn)

ALTUS Halo 提供半導(dǎo)體行業(yè)中最精確、最先進(jìn)的鉬沉積。ALTUS Halo 工具系列針對(duì)一系列金屬化需求進(jìn)行了優(yōu)化，能夠使用化學(xué)和熱柔韌性以及等離子體為溫度敏感應(yīng)用進(jìn)行保形或選擇性沉積，并帶有自下而上的填充特征。

在韓國(guó)和新加坡設(shè)有晶圓廠的領(lǐng)先大批量 3D NAND 制造商以及先進(jìn)的邏輯晶圓廠已開始采用早期采用，同時(shí) DRAM 客戶的開發(fā)仍在繼續(xù)。

“鉬金屬化的集成使美光能夠在最新一代 NAND 產(chǎn)品中率先推出行業(yè)領(lǐng)先的 I/O 帶寬和存儲(chǔ)容量，”美光 NAND 開發(fā)公司副總裁 Mark Kiehlbauch 說(shuō)?！胺毫旨瘓F(tuán)的 ALTUS Halo 工具使美光能夠?qū)f投入大規(guī)模生產(chǎn)?！?/p>