8 月 1 日消息，泛林集團 Lam Research 當?shù)貢r間昨日宣布推出面向 3D NAND 閃存制造的第三代低溫介質(zhì)蝕刻技術 Lam Cyro 3.0。

泛林集團全球產(chǎn)品部高級副總裁 Sesha Varadarajan 表示：

Lam Cryo 3.0 為（我們的）客戶實現(xiàn) 1000 層 3D NAND 鋪平了道路。

泛林低溫蝕刻已被用于 500 萬片晶圓的生產(chǎn)，而我們的最新技術是 3D NAND 生產(chǎn)領域的一項突破。

它能以埃米級精度創(chuàng)建高深寬比（IT之家注：High Aspect Ratio）圖形特征，同時降低對環(huán)境的影響，蝕刻速度是傳統(tǒng)介電工藝的兩倍多。

Lam Cryo 3.0 是我們的客戶克服人工智能時代關鍵 NAND 制造障礙所需的蝕刻技術。

在現(xiàn)有 3D NAND 的生產(chǎn)中，需要用從器件頂部至底部的細長垂直孔道將各層存儲單元連接起來。

而在孔道構建過程中，即使圖形特征與目標輪廓出現(xiàn)原子級的輕微誤差，也可能對存儲新品的電氣性能產(chǎn)生負面影響，并可能影響良率。

而 Lam Cryo 3.0 結合了高能密閉式等離子反應器、遠低于 0℃工作溫度以及新的化學蝕刻物質(zhì)，可蝕刻出深寬比達 50:1、深度達 10μm 的通道，同時從頂部到底部的特征關鍵尺寸偏差不到 0.1%。

此外相較傳統(tǒng)介電工藝，Lam Cryo 3.0 技術的蝕刻速度是前者的 2.5 倍，能耗降低了 40%，排放量更減少了 90%。