2025 年 2 月 26 日，中國上海 —  美光科技股份有限公司（納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布，已率先向生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴及特定客戶出貨專為下一代 CPU 設(shè)計(jì)的 1γ（1-gamma）第六代（10 納米級）DRAM 節(jié)點(diǎn) DDR5 內(nèi)存樣品。得益于美光此前在 1α（1-alpha）和 1β（1-beta）DRAM 節(jié)點(diǎn)的領(lǐng)先優(yōu)勢，1γ DRAM 節(jié)點(diǎn)的這一新里程碑將推動從云端、工業(yè)、消費(fèi)應(yīng)用到端側(cè) AI 設(shè)備（如 AI PC、智能手機(jī)和汽車）等未來計(jì)算平臺的創(chuàng)新發(fā)展。美光 1γ DRAM 節(jié)點(diǎn)將首先應(yīng)用于其 16Gb DDR5 DRAM 產(chǎn)品，并計(jì)劃逐步整合至美光內(nèi)存產(chǎn)品組合中，以滿足 AI 產(chǎn)業(yè)對高性能、高能效內(nèi)存解決方案日益增長的需求。該款 16Gb DDR5 產(chǎn)品的數(shù)據(jù)傳輸速率可達(dá) 9200MT/s，與前代產(chǎn)品相比，速率提升高達(dá) 15%，功耗降低超過 20%。

　　1γ DRAM 節(jié)點(diǎn)的重要性

　　隨著 AI 在數(shù)據(jù)中心和端側(cè)設(shè)備的普及，用戶對內(nèi)存的需求達(dá)到了前所未有的高度。美光邁向 1γ DRAM 節(jié)點(diǎn)，將助力客戶應(yīng)對亟待解決的核心挑戰(zhàn)：

• 提升性能 — 基于 1γ 節(jié)點(diǎn)的 DRAM 性能卓越，能夠支持從數(shù)據(jù)中心到端側(cè)設(shè)備的多種內(nèi)存產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)計(jì)算擴(kuò)展，滿足未來 AI 工作負(fù)載的需求。

• 降低功耗 — 美光 1γ 節(jié)點(diǎn)采用下一代高 K 金屬柵極 CMOS 技術(shù)，結(jié)合設(shè)計(jì)優(yōu)化，功耗降低了20% 以上，并實(shí)現(xiàn)更優(yōu)的散熱。

• 提升容量密度產(chǎn)出 — 美光 1γ 節(jié)點(diǎn)采用 EUV 光刻技術(shù)，通過設(shè)計(jì)優(yōu)化和制程創(chuàng)新，使單片晶圓的容量密度產(chǎn)出較上一代提升 30% 以上，從而實(shí)現(xiàn)更高效的內(nèi)存供應(yīng)擴(kuò)展能力。

　　美光執(zhí)行副總裁暨首席技術(shù)與產(chǎn)品官 Scott DeBoer 表示：“美光憑借開發(fā)專有 DRAM 技術(shù)的專長，結(jié)合對 EUV 光刻技術(shù)的戰(zhàn)略運(yùn)用，打造出基于 1γ 節(jié)點(diǎn)的先進(jìn)內(nèi)存產(chǎn)品組合，助力推動 AI 生態(tài)系統(tǒng)發(fā)展。1γ DRAM 節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)了更高的容量密度產(chǎn)出，彰顯了美光卓越的制造實(shí)力和效率，并使我們能夠擴(kuò)大內(nèi)存供應(yīng)的規(guī)模，滿足行業(yè)日益增長的需求。”

　　美光在經(jīng)過多代驗(yàn)證的 DRAM 技術(shù)和制造策略的基礎(chǔ)上，成功打造出優(yōu)化的 1γ 節(jié)點(diǎn)。1γ DRAM 節(jié)點(diǎn)的創(chuàng)新得益于 CMOS 技術(shù)的進(jìn)步，包括下一代高 K 金屬柵極技術(shù)，它提升了晶體管性能，實(shí)現(xiàn)了更高的速率、更優(yōu)化的設(shè)計(jì)以及更小的特征尺寸，從而帶來功耗降低和性能擴(kuò)展的雙重優(yōu)勢。此外，通過采用 EUV 光刻技術(shù)，1γ 節(jié)點(diǎn)利用極短波長在硅晶圓上刻畫出更精細(xì)的特征，從而獲得了業(yè)界領(lǐng)先的容量密度優(yōu)勢。同時，通過在全球各制造基地開發(fā) 1γ 節(jié)點(diǎn)，美光可為行業(yè)提供更先進(jìn)的技術(shù)和更強(qiáng)的供應(yīng)韌性。

　　美光執(zhí)行副總裁暨首席商務(wù)官 Sumit Sadana 表示：“美光再次引領(lǐng)行業(yè)，推出全球領(lǐng)先的內(nèi)存技術(shù)。1γ DRAM 制程憑借其卓越的能效和出色的性能取得了突破性的成就。美光 1γ DRAM 產(chǎn)品將提供可擴(kuò)展的內(nèi)存解決方案，涵蓋從數(shù)據(jù)中心到端側(cè)設(shè)備等各個領(lǐng)域，助力 AI 生態(tài)系統(tǒng)發(fā)展，確保我們的客戶能夠應(yīng)對行業(yè)日新月異的需求。”

　　推動云端至端側(cè)的產(chǎn)品變革

　　1γ 節(jié)點(diǎn)作為未來產(chǎn)品的基石，將被全面整合到美光的內(nèi)存產(chǎn)品組合中：

• 數(shù)據(jù)中心 — 基于 1γ 的 DDR5 內(nèi)存解決方案為數(shù)據(jù)中心提供高達(dá) 15% 的性能提升，增強(qiáng)能效，并支持服務(wù)器性能的持續(xù)擴(kuò)展，使數(shù)據(jù)中心能夠在未來的機(jī)架級功耗和散熱設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)優(yōu)化。

• 端側(cè) AI — 1γ 低功耗 DRAM 解決方案可提供更高的能效及帶寬，提升端側(cè) AI 解決方案的用戶體驗(yàn)。

• AI PC — 1y DDR5 SODIMMs 可提升性能并降低 20% 的功耗，從而延長續(xù)航，優(yōu)化筆記本電腦的用戶體驗(yàn)。

• 移動設(shè)備 — 1γ LPDDR5X 可提供卓越的 AI 體驗(yàn)，延續(xù)美光在移動設(shè)備領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

• 汽車 — 基于 1γ 的 LPDDR5X 內(nèi)存可提升容量、耐用性和性能，同時傳輸速率高達(dá) 9600MT/s。

　　行業(yè)引語：

　　AMD 服務(wù)器平臺解決方案工程部門企業(yè)副總裁 Amit Goel 表示：“我們很高興看到美光在 1γ DRAM 節(jié)點(diǎn)方面取得的進(jìn)展，并已開展對美光 1γ DDR5 內(nèi)存的驗(yàn)證工作。我們致力于通過下一代 AMD EPYC（霄龍）數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品以及全系列消費(fèi)級處理器，持續(xù)推動計(jì)算生態(tài)系統(tǒng)的發(fā)展，因此與美光的緊密合作至關(guān)重要。”

　　英特爾內(nèi)存與 IO 技術(shù)副總裁兼總經(jīng)理 Dimitrios Ziakas 博士表示：“美光 1γ 節(jié)點(diǎn)的進(jìn)步為英特爾服務(wù)器和 AI PC 帶來了顯著的功耗及容量優(yōu)化。我們很高興看到美光在 DRAM 技術(shù)方面的持續(xù)創(chuàng)新，并期待基于這些優(yōu)勢進(jìn)一步提升服務(wù)器系統(tǒng)的性能和 PC 的續(xù)航。英特爾正在通過其嚴(yán)格的服務(wù)器驗(yàn)證流程，對美光 1γ DDR5 內(nèi)存樣品進(jìn)行驗(yàn)證，從而為我們的客戶提供高品質(zhì)、體驗(yàn)一流的服務(wù)器系統(tǒng)。”

　　符合條件的客戶及合作伙伴可以加入美光的 DDR5 技術(shù)支持計(jì)劃（TEP），提前獲取技術(shù)信息、電氣和熱模型，以及關(guān)于設(shè)計(jì)、開發(fā)和推出下一代計(jì)算平臺的支持。

　　¹數(shù)據(jù)傳輸速率的提升基于對 1γ DDR5 內(nèi)存產(chǎn)品預(yù)期速率的估算。。

　　²功耗降低效果依據(jù) 1γ DDR5 內(nèi)存與 1β DDR5 內(nèi)存的功耗（瓦特）對比計(jì)算所得。

　　³單片晶圓容量提升的百分比，依據(jù) 1β 與 1γ 制程下晶圓整體容量密度的對比結(jié)果計(jì)算得出。

　　⁴功耗降低效果依據(jù) 1γ DDR5 SODIMM內(nèi)存與 1β DDR5 SODIMM內(nèi)存的功耗（瓦特）對比計(jì)算所得。

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