3月3日消息，據市場研究機構Yole Group最新公布的預測報告顯示，預計到2030年，全球化合物半導體器件市場預計將增長到約250億美元。不過，該行業在價值1萬億美元的半導體器件市場當中仍然只占一小部分。

Yole Group 化合物半導體活動經理Ezgi Dogmus 博士表示，化合物半導體器件行業在 2024 年至 2030 年期間處于快速增長軌道上，復合年增長率 接近 13%，令人印象深刻，超過了更廣泛的半導體市場。蓬勃發展的汽車和移動出行行業推動了這種加速，電信、基礎設施和消費電子產品也帶來了強勁的勢頭。

在這種動態背景下，主要半導體參與者對化合物技術越來越感興趣。在過去十年中，隨著功率 SiC的快速普及，Wolfspeed 剝離了其射頻和 LED 業務，專注于 SiC。與此同時，意法半導體、安森美和英飛凌科技擴大了對碳化硅的投資，采用垂直整合的商業模式，以減少地緣政治緊張局勢中對硅片供應的依賴。

在 SiC 市場繁榮的同時 ，OEM 對用于電力電子應用的 GaN 表現出更濃厚的興趣。這種興趣導致了格局的變化。據 Yole Group 的分析師預測，到 2029 年，功率 GaN 市場預計將增長到 20 億美元以上，5 年復合年增長率將保持強勁。

截至 2025 年，Innoscience、Power Integrations 和 Navitas 在功率 GaN 市場處于領先地位。與此同時，領先的半導體公司 Infineon Technologies 和 Renesas 分別通過收購 GaN Systems 和 Transphorm 實現了無機增長。

Yole Group化合物半導體高級技術和市場分析師Poshun Chiu表示，它還與 GaN 在射頻應用中產生了協同效應。英飛凌和GlobalFoundries等公司投資了功率硅基氮化鎵，正在探索協同效應，以利用現有設備（如外延）進行射頻生產。

射頻（RF）砷化鎵（GaAs）是第一個在消費類應用中取得成功的化合物半導體，預計到 2025 年將擁有完善的生態系統。目前射頻器件大廠Skyworks 引領著這一市場，其次是 Qorvo 和 Murata（村田），在消費類終端系統中贏得了設計勝利。然而，地緣政治限制正在推動中國 OEM 發展本地生態系統。

Yole Group的化合物半導體技術和市場分析師Aymen Ghorbel表示，RF GaN 最初用于雷達等國防應用，但在過去十年中，它已擴展到電信基礎設施，滿足 5G 基站要求。人們對衛星通信和其他用例的興趣也越來越大。

半導體激光器也推動了光子學化合物半導體行業發展，預計到 2029 年該市場將達到 50 億美元。這些技術確實廣泛用于通信、傳感和各種其他應用。隨著人工智能的興起，數據通信行業經歷了顯著增長，推動了對硅光子學的強勁需求。

Yole Group分析師已經確定了 InP （磷化銦）光子學和硅行業之間越來越多的合作。臺積電等主要半導體巨頭正在進入光子學業務。未來可能會有更多參與者，例如 GlobalFoundries 和 三星電子，逐步跟進。

MicroLED 顯示器行業高度分散，沒有一個實體從頭到尾監督制造。與傳統的垂直集成顯示器生產不同，microLED 制造需要獨特的專業知識。

京東方（BOE）和友達等主要顯示器制造商正在確保對 LED 供應商的控制權，而初創公司和設備制造商則為主要技術做出貢獻。尤其是中國大陸和中國臺灣廠商正在塑造行業。蘋果的退出減緩了資金籌集速度，使大多數初創公司陷入困境，并削弱了人們對 microLED 前景的信心。