中文引用格式： 倪志遠，白霖，林罡，等. T型柵GaN HEMT微波器件ESD特性研究[J]. 電子技術應用，2025，51(4)：40-44.
英文引用格式： Ni Zhiyuan，Bai Lin，Ling Gang，et al. Study on ESD characteristics of T-shape gate GaN HEMT microwave devices[J]. Application of Electronic Technique，2025，51(4)：40-44.
引言
微波GaN HEMT器件，尤其是在應用于高頻小功率的場景下時，往往容易受到靜電釋放(Electro-Static Discharge,ESD)事件的影響導致器件發(fā)生失效。一般情況下幾百伏特的靜電就會造成靜電損傷失效，小則幾十伏特的靜電也能使一些型號的器件失效。眾所周知，微波小功率GaN HEMT的器件的尺寸通常很小，由于頻率很高不便附加保護電路，這也是此類器件難以制定其抗靜電措施的重要原因。多數研究均表明，Ⅲ-Ⅴ異質結構對器件對ESD事件十分敏感，ESD事件會造成電極間金屬擴散以及電遷移，從而產生電極尖峰使得外延材料中出現纖絲，造成肖特基結的損傷。
2015年Rossetto針對漏源傳輸線脈沖應力對硅基GaN HEMT器件的ESD穩(wěn)健性進行了廣泛的分析，在器件處于開啟狀態(tài)下時，靜電失效可歸因于功率型大電流失效；而在器件處于關斷狀態(tài)下，器件由于大電壓的作用出現電壓型強電場失效[1]。2016年，Shankar報道了AlGaN/GaN HEMT在ESD應力條件下的多種失效模式和不同的ESD行為對柵指的影響[2]。2016年，Meneghini等人通過具體測試，說明了AlGaN勢壘層的結構特性與ESD穩(wěn)健性之間的相關性并進一步探究了器件工藝、電路布局和幾何形狀對器件電氣性能、擊穿特性以及ESD穩(wěn)健性的影響[3]。2020年Xin等人通過使用傳輸線脈沖測試，綜合評價了GaN HEMT的ESD特性，發(fā)現柵極在ESD事件中最容易發(fā)生失效且漏極與源級在柵極接地的條件下不太容易發(fā)生災難性的退化或失效的規(guī)律[4]。
目前，國內研究人員針對AlGaN/GaN HEMT在ESD領域的研究較為有限，多數還停留在器件外圍的ESD防護電路上[5-6]，對相關機理的研究處于起步階段，因此從器件結構方面研究ESD事件的失效機理具有重大意義。
本文使用HANWA公司的HCE-5000便攜式ESD測試機作為主要工具，探究了器件耐靜電能力與閾值電壓、柵腳柵帽寬度以及總柵寬之間的關系，借助掃描電鏡（Scanning Electron Microscope，SEM）、聚焦離子束（Focused Ion Beam，FIB）等微區(qū)分析手段，對柵下燒毀點進行定位，并分析其失效機理。
本文詳細內容請下載：
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作者信息：
倪志遠，白霖，林罡，鮑誠，章軍云
（南京電子器件研究所，江蘇 南京 210016）
