《電子技術(shù)應用》
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三星被曝將首次外包芯片光掩模生產(chǎn)

聚焦 ArF 和 EUV 等先進技術(shù)
2025-05-14
來源:C114通信網(wǎng)
關(guān)鍵詞: 三星 光掩模 內(nèi)存 光刻

光掩模(版)系生產(chǎn)集成電路所需之模具,是用于光致抗蝕劑涂層選擇性曝光的一種結(jié)構(gòu),其原理類似于沖洗相片時利用底片將影像復制到相片上。

韓國科技媒體 TheElec 今日報道稱,三星電子正計劃將內(nèi)存芯片制造所需的光掩模生產(chǎn)業(yè)務進行外包。

據(jù)稱,目前三星已啟動供應商評估流程,候選企業(yè)包括日本 Toppan 控股子公司 Tekscend Photomask 和美國 Photronics 旗下 PKL(注:廠址位于京畿道),評估結(jié)果預計第三季度公布。

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TheElec 報道稱,三星準備將低端產(chǎn)品(i-line 365 納米、KrF 248 納米)進行外包,內(nèi)部僅保留高端光掩模(ArF 193 納米、EUV 13.5 納米),原 i-line / KrF 資源轉(zhuǎn)向 ArF / EUV 研發(fā)。

報道稱,三星決定將光掩模生產(chǎn)外包的原因有很多,主要是三星自家 i-line 和 Krf 設(shè)備已經(jīng)老化,且不再生產(chǎn),因此很難找到替代設(shè)備;而且低端光掩模技術(shù)外泄風險較低,三星更愿意集中力量沖擊高端制程建設(shè)。

隨著半導體技術(shù)越來越先進,電路圖案越來越精細,生產(chǎn)流程中使用光掩模的數(shù)量也越來越多。例如 10nm 邏輯芯片需 67 張,而 1.75nm 預計需要 78 張;傳統(tǒng) DRAM 芯片需要 30-40 張,而現(xiàn)在最先進的 DRAM 芯片需要 60 多張。況且,多重曝光技術(shù)也進一步增加了光掩模所需數(shù)量。 


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