隨著氮化鎵（GaN）半導體需求的持續(xù)增長，英飛凌科技股份公司正抓住這一趨勢，鞏固其作為GaN市場領(lǐng)先垂直整合制造商（IDM）的地位。

近日，英飛凌宣布其在 300mm晶圓（12英寸晶圓）上的可擴展GaN生產(chǎn)已步入正軌。隨著首批樣品將于2025年第四季度向客戶提供，英飛凌有望擴大客戶群體，并進一步鞏固其作為領(lǐng)先氮化鎵巨頭的地位。

△英飛凌300mm GaN技術(shù)

作為功率系統(tǒng)領(lǐng)域的領(lǐng)導者，英飛凌已經(jīng)掌握全部三種材料的相關(guān)技術(shù)：硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。憑借更高的功率密度、更快的開關(guān)速度和更低的功率損耗，氮化鎵半導體可實現(xiàn)更緊湊的設(shè)計，從而減少智能手機充電器、工業(yè)和人形機器人，以及太陽能逆變器等電子設(shè)備的能耗和熱量產(chǎn)生。

英飛凌科技氮化鎵業(yè)務線負責人Johannes Schoiswohl表示：“英飛凌全面擴大的300mm GaN生產(chǎn)規(guī)模將幫助我們更快地為客戶提供更高價值的產(chǎn)品，同時推動實現(xiàn)Si和GaN同類產(chǎn)品的成本持平。在英飛凌宣布突破300mm GaN晶圓技術(shù)近一年后，我們很高興看到我們的過渡進程進展順利，并且業(yè)界已經(jīng)認識到英飛凌GaN技術(shù)在我們的IDM戰(zhàn)略優(yōu)勢下所發(fā)揮的重要作用。”

英飛凌的生產(chǎn)策略主要以 IDM 模式為主，即擁有從設(shè)計到制造和銷售最終產(chǎn)品的整個半導體生產(chǎn)流程。公司的內(nèi)部生產(chǎn)策略是市場上的一個關(guān)鍵差異化因素，具有多重優(yōu)勢，如能提供更高質(zhì)量的產(chǎn)品、更快的產(chǎn)品上市時間以及出色的設(shè)計和開發(fā)靈活性。英飛凌致力于為氮化鎵客戶提供支持，并可擴大產(chǎn)能以滿足他們對可靠的GaN電源解決方案的需求。

憑借其技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢，英飛凌已成為首家在現(xiàn)有大批量生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施內(nèi)成功開發(fā)出300mm GaN功率晶圓技術(shù)的半導體制造商。與現(xiàn)有的 200mm晶圓相比，300mm晶圓上的芯片生產(chǎn)在技術(shù)上更加先進，效率也顯著提高，因為更大的晶圓直徑可使芯片生產(chǎn)效率提高 2.3 倍。這些增強的能力，加上英飛凌強大的GaN專家團隊，以及業(yè)界最廣泛的知識產(chǎn)權(quán)組合，恰好可以滿足基于GaN的功率半導體在工業(yè)、汽車、消費、計算和通信等領(lǐng)域快速普及，包括AI系統(tǒng)電源、太陽能逆變器、充電器和適配器以及電機控制系統(tǒng)等。

Yole分析師預測，到2030年，GaN在功率應用領(lǐng)域的收入將以每年36%的速度增長，達到約25億美元。英飛凌擁有專門的生產(chǎn)能力和強大的產(chǎn)品組合，去年發(fā)布了40多款新型GaN產(chǎn)品，這使其成為尋求高質(zhì)量GaN解決方案客戶的首選合作伙伴。