7 月 30 日消息，三星電子在去年末與美國商務(wù)部達(dá)成了最終版本的《CHIPS》法案激勵計劃，相較同年 4 月的初步備忘錄取消了有關(guān)在得克薩斯州泰勒市建設(shè) 3D HBM 和 2.5D 封裝先進(jìn)封裝的內(nèi)容。
而根據(jù)韓國媒體 hankyung 的報道，在泰勒市晶圓廠獲特斯拉大額先進(jìn)制程訂單和韓美貿(mào)易談判進(jìn)入關(guān)鍵階段的雙重背景下，三星電子重新考慮在泰勒市導(dǎo)入先進(jìn)封裝產(chǎn)能，追加投資規(guī)模預(yù)計將達(dá)約 70 億美元（注：現(xiàn)匯率約合 502.63 億元人民幣）。
以特斯拉 AI6 為代表的先進(jìn)制程芯片存在對先進(jìn)封裝技術(shù)的天然需求。在泰勒市實(shí)現(xiàn) AI6 的前端 + 后端一體化生產(chǎn)符合特斯拉在美國構(gòu)建本地化芯片產(chǎn)能的目標(biāo)；而這筆大交易也可能帶動其它客戶向三星泰勒廠下達(dá)代工訂單。
而在另一方面，韓國的另一大半導(dǎo)體企業(yè) SK 海力士也在考慮在美國建設(shè) DRAM 晶圓廠，與此前宣布的 HBM 先進(jìn)封裝設(shè)施形成協(xié)同效應(yīng)，避免需要外部 DRAM 供應(yīng)才能完成 HBM 制造的局面。
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