9月8日消息，EUV光刻機是制造5nm以下工藝的關鍵設備，同樣重要的還有EUV光刻膠，現在無錫宣布國內首個掌握EUV光刻膠核心技術的平臺啟動了。
來自無錫政府網站的消息，9月4日2025集成電路（無錫）創新發展大會開幕。
本次大會上宣布了多個重磅項目，除了算力平臺外，還有2個值得關注的——無錫先進制程半導體納米級光刻膠中試線作為全國首個掌握MOR型光刻膠核心原材料、配方及應用技術的創新平臺，其研發生產的光刻膠將對標世界一流水準。
另一個則是江蘇（集萃）光刻膠樹脂合成中試線是全國唯一采用連續流技術制備光刻膠樹脂的研發平臺，首創高分子穩定合成的聚合裝備與工藝。
其中MOR型光刻膠就是針對EUV時代光刻膠的新技術，它指的是金屬氧化物光阻劑，取代了目前DUV光刻膠所用的CAR化學增幅型光阻劑，是提高光刻分辨率、縮小柵極距、降低缺陷率的關鍵材料之一。
不僅5nm以下的工藝需要先進EUV光刻膠，DRAM內存工藝也會逐漸導入到EUV時代，同樣需要EUV光刻膠，NAND閃存暫時還沒有需要EUV工藝，但未來一樣需要EUV工藝才能進一步提升密度。
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