目前，為了防止高dV/dt應(yīng)用于橋式電路中的IGBT時(shí)產(chǎn)生瞬時(shí)集電極電流，設(shè)計(jì)人員一般會(huì)設(shè)計(jì)柵特性是需要負(fù)偏置柵驅(qū)動(dòng)的IGBT。然而提供負(fù)偏置增加了電路的復(fù)雜性，也很難使用高壓集成電路（HVIC）柵驅(qū)動(dòng)器，因?yàn)檫@些IC是專為接地操作而設(shè)計(jì)──與控制電路相同。因此，研發(fā)有高dV/dt能力的IGBT以用于“單正向”柵驅(qū)動(dòng)器便最為理想了。這樣的器件已經(jīng)開發(fā)出來了。器件與負(fù)偏置柵驅(qū)動(dòng)IGBT進(jìn)行性能表現(xiàn)的比較測(cè)試，在高dV/dt條件下得出優(yōu)越的測(cè)試結(jié)果。
為了理解dV/dt感生開通現(xiàn)象，我們必須考慮跟IGBT結(jié)構(gòu)有關(guān)的電容。圖1顯示了三個(gè)主要的IGBT寄生電容。集電極到發(fā)射極電容C，集電極到柵極電容C和柵極到發(fā)射極電容CGE。
圖1 IGBT器件的寄生電容
這些電容對(duì)橋式變換器設(shè)計(jì)是非常重要的，大部份的IGBT數(shù)據(jù)表中都給出這些參數(shù)：
- 輸出電容，COES＝CCE＋CGC（CGE短路）
- 輸入電容，CIES＝CGC＋CGE（CCE短路）
- 反向傳輸電容，CRES＝CGC
圖2給出了用于多數(shù)變換器設(shè)計(jì)中的典型半橋電路。集電極到柵極電容C和柵極到發(fā)射極電容C組成了動(dòng)態(tài)分壓器。當(dāng)高端IGBT（Q2）開通時(shí)，低端IGBT（Q1）的發(fā)射極上的dV/dt會(huì)在其柵極上產(chǎn)生正電壓脈沖。對(duì)于任何IGBT，脈沖的幅值與柵驅(qū)動(dòng)電路阻抗和dV/dt的實(shí)際數(shù)值有直接關(guān)系。IGBT本身的設(shè)計(jì)對(duì)減小C和C的比例非常重要，它可因此減小dV/dt感生電壓幅值。
圖2 半橋電路
如果dV/dt感生電壓峰值超過IGBT的閥值，Q1產(chǎn)生集電極電流并產(chǎn)生很大的損耗，因?yàn)榇藭r(shí)集電極到發(fā)射極的電壓很高。
為了減小dV/dt感生電流和防止器件開通，可采取以下措施：
- 關(guān)斷時(shí)采用柵極負(fù)偏置，可防止電壓峰值超過V，但問題是驅(qū)動(dòng)電路會(huì)更復(fù)雜。
- 減小IGBT的CGC寄生電容和多晶硅電阻Rg’。
- 減小本征JFET的影響
圖3給出了為反向偏置關(guān)斷而設(shè)計(jì)的典型IGBT電容曲線。CRES曲線（及其他曲線）表明一個(gè)特性，電容一直保持在較高水平，直到V接近15V，然后才下降到較低值。如果減小或消除這種“高原”(plateau) 特性，C的實(shí)際值就可以進(jìn)一步減小。
這種現(xiàn)象是由IGBT內(nèi)部的本征JFET引起的。如果JFET的影響可以最小化，C和C可隨著VCE的提高而很快下降。這可能減小實(shí)際的CRES，即減小dV/dt感生開通對(duì)IGBT的影響。
圖3 需負(fù)偏置關(guān)斷的典型IGBT的寄生電容與V的關(guān)系。
IRGP30B120KD-E是一個(gè)備較小C和經(jīng)改良JFET的典型IGBT。這是一個(gè)1200V，30A NPT IGBT。它是一個(gè)Co-Pack器件，與一個(gè)反并聯(lián)超快軟恢復(fù)二極管共同配置于TO-247封裝。
設(shè)計(jì)人員可減小多晶體柵極寬度，降低本征JFET的影響，和使用元胞設(shè)計(jì)幾何圖形，從而達(dá)到以上的目標(biāo)。
對(duì)兩種1200V NPT IGBT進(jìn)行比較：一種是其他公司的需負(fù)偏置關(guān)斷的器件，一種是IR公司的NPT單正向柵驅(qū)動(dòng)IRGP30B120KD-E。測(cè)試結(jié)果表明其他公司的器件在源電阻為56?下驅(qū)動(dòng)時(shí)，dV/dt感生電流很大。
比較寄生電容的數(shù)據(jù)，IR器件的三種電容也有減小：
- 輸入電容，CIES減小25％
- 輸出電容，COES減小35％
- 反向傳輸電容，CRES減小68％
圖4 寄生電容比較
圖5顯示出IR器件的減小電容與V的關(guān)系，得出的平滑曲線是由于減小了JFET的影響。當(dāng)V＝0V時(shí)，負(fù)偏置柵驅(qū)動(dòng)器件的C為1100pF，IRGP30B120KD-E只有350pF，當(dāng)VCE＝30V時(shí)，負(fù)偏置柵驅(qū)動(dòng)器件的C為170pF，IRGP30B120KD-E的CRES為78pF。很明顯，IRGP30B120KD-E具有非常低的C，因此在相同的dV/dt條件下dV/dt感生電流將非常小。
圖5 IRGP30B120KD-E寄生電容與VCE的關(guān)系
圖6的電路用來比較測(cè)試兩種器件的電路性能。兩者的dV/dt感生電流波形也在相同的dV/dt值下得出。
圖6 dV/dt感生開通電流的測(cè)試電路
測(cè)試條件：
- 電壓率，dV/dt=3.0V/nsec
- 直流電壓，Vbus=600V
- 外部柵到發(fā)射極電阻Rg=56?
- 環(huán)境溫度，TA＝125°C
圖7 其他公司的IGBT的低端IGBT開關(guān)電壓和dV/dt感生電流的18A峰值
圖8 IRGP30B120KD-E IGBT的低端IGBT開關(guān)電壓和dV/dt感生電流的1.9A峰值
dV/dt感生電流的減小清楚說明單正向柵驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)的優(yōu)勝之處。但在這個(gè)測(cè)試中，Co-Pack二極管電流的影響并沒有完全計(jì)算在內(nèi)。為了只顯示出IGBT對(duì)整體電流的影響，我們只利用相同的分立式反并聯(lián)二極管再重復(fù)測(cè)試，如圖9中的Ice(cntrl)。
圖9 利用相同的分立式Co-Pack二極管產(chǎn)生的dV/dt感生電流
圖10顯示出在沒有IGBT情況下，負(fù)偏置柵驅(qū)動(dòng)器IGBT的I電流。圖11為IRGP30B120KD-E單正向柵驅(qū)動(dòng)器的I電流。兩種情況下的電流都很低，分別為1A和0.8A。
圖10 其他公司的IGBT的Co-Pack二極管內(nèi)的低端IGBT的VCE和dV/dt感生電流1A峰值
圖11 IRG30B120KD-E的Co-Pack二極管內(nèi)的低端IGBT的VCE和dV/dt感生電流0.8A峰值
如果從整體IGBT/二極管電流中減去圖10和圖11的二極管電流，結(jié)果是
- （負(fù)偏置柵驅(qū)動(dòng)IGBT）= 18-1 = 17A
- （IRGP30B120KD-E）= 1.9-0.8 = 0.8A
- 可見總的減小為17:0.8 = 21:1
在相同的測(cè)試條件下，當(dāng)柵電壓是在0V或單正向柵驅(qū)動(dòng)情況下，IRGP30B120KD的電路性能顯示dV/dt感生開通電流減小比例為21:1。如果IGBT采用這種方式驅(qū)動(dòng)，電流很小，對(duì)功耗的影響幾乎可以忽略。
圖12 柵驅(qū)動(dòng)波形
采用單正向柵驅(qū)動(dòng)IGBT有下列好處：
- 不需要負(fù)偏置
- 驅(qū)動(dòng)器電路成本更低
- 更高的柵抗噪聲功能
- 更高的dV/dt耐容
- 與不能提供負(fù)偏置驅(qū)動(dòng)的IR單片式柵驅(qū)動(dòng)器兼容
圖13 具有電平轉(zhuǎn)換的柵驅(qū)動(dòng)IC電路
上述設(shè)計(jì)對(duì)PT和NPT IGBT同樣有效。
結(jié)論：
單正向柵驅(qū)動(dòng)IGBT是器件發(fā)展的巨大進(jìn)步。IRGP30B120KD-E的C值很低，在單正向柵驅(qū)動(dòng)條件下，其開關(guān)性能非常理想。器件不需要負(fù)偏置柵驅(qū)動(dòng)便能可靠關(guān)斷，即使在集電極的dV/dt為3V/ns。與單片式柵驅(qū)動(dòng)器的兼容性更為橋式變換器和交流電機(jī)驅(qū)動(dòng)提供更優(yōu)越和成本更低的解決方案。所以我們期望這些先進(jìn)的IGBT能為新的IC設(shè)計(jì)提供更大的優(yōu)勢(shì)。