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串行存儲(chǔ)器AT45DB161B在車輛行駛記錄儀中的應(yīng)用

摘要： 行駛記錄儀的主要數(shù)據(jù)包括事故疑點(diǎn)和行駛狀態(tài)數(shù)據(jù)。本文給出了采用ATMEL的AT45DB161B來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的記錄儀設(shè)計(jì)方案。

關(guān)鍵詞： 接口IC AT45DB161B 車載系統(tǒng) 汽車網(wǎng)絡(luò)

Abstract：

Key words :

</a>AT45DB161B" title="AT45DB161B">AT45DB161B" title="AT45DB161B">AT45DB161B來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的記錄儀設(shè)計(jì)方案。

　　2 AT45DB161B串行存儲(chǔ)器

　　ATMEL公司的Data-Flash產(chǎn)品的代表型號(hào)為AT45DBxxxx。此系列存儲(chǔ)器容量較大(從1～256MB)；封裝尺寸小，最小封裝型式(CBGA)的尺寸為6 mm×8 mm：可采用SPI接口進(jìn)行讀寫；硬件連線少；內(nèi)部頁面尺寸較小，8 MB容量的頁面尺寸為264字節(jié)，16 MB和32 MB容量的頁面尺寸為512字節(jié)，64 MB容量的頁面尺寸為1056字節(jié)，128 MB容量和256 MB容量的頁面尺寸為2112字節(jié)。另外，AT45DBxxxx系列存儲(chǔ)器內(nèi)部有兩個(gè)與主存頁面大小相同的SRAM緩存，可提高系統(tǒng)的靈活性，簡(jiǎn)化數(shù)據(jù)的讀寫過程。AT45DBxxxx系列存儲(chǔ)器的工作電壓只需2．7～3．6 V；整個(gè)芯片的功耗也較小；典型讀取電流為4 mA，待機(jī)電流僅為2 μA：讀寫的速度最大為20 Mbps。

　　AT45DB161B的容量為16 MB。分成4096頁，每頁有528個(gè)字節(jié)[3]。另外還有兩個(gè)528字節(jié)的數(shù)據(jù)緩沖器SRAM。在對(duì)主存儲(chǔ)器進(jìn)行操作時(shí)，這兩個(gè)SRAM也可以接收數(shù)據(jù)。因此，和串行EEP-ROM相比。該器件可大大縮短讀寫時(shí)間。而采用SPI總線接口和并行的flash相比．其速度并不慢，而且抗干擾能力也比較強(qiáng)。

　　2．1 AT45DB161B引腳接口定義

　　表1所列是AT45DB161B的部分接口引腳定義。其中CS為片選信號(hào)，RESET為復(fù)位端，SCK、SI、SO為SPI總線，RDY／BUSY為忙信號(hào)，WP為前256頁的寫保護(hù)。

AT45DB161B的部分接口引腳定義

　　SPI接口是一種通用串行接口總線，利用SCK、SI和SO三根線可進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀／寫控制。數(shù)據(jù)以字節(jié)(8 bit)為單位。其中，SCK為時(shí)鐘信號(hào)，SI和SO為數(shù)據(jù)輸人和輸出線。

　　AT45DB161B僅支持SPI模式0和3。在這兩種模式下。SCK信號(hào)的上升沿觸發(fā)數(shù)據(jù)輸入，下降沿觸發(fā)數(shù)據(jù)輸出，二者的區(qū)別是SCK的起始電平不同。AT45DB161B復(fù)位時(shí)，默認(rèn)為SPI模式3。

　　2．2 指令

　　除了存儲(chǔ)單元外，AT45DB161B內(nèi)部還包括命令用戶接口CUI(Command User Interface)和狀態(tài)機(jī)。CUI接收用戶的軟件指令，以將其翻譯成狀態(tài)機(jī)內(nèi)部操作碼并進(jìn)行命令的有效性檢驗(yàn)。狀態(tài)機(jī)則可控制存儲(chǔ)器所有的內(nèi)部操作。器件內(nèi)部包含一個(gè)8位的狀態(tài)寄存器，可用來指示設(shè)備的操作狀態(tài)。向存儲(chǔ)器輸入讀狀態(tài)寄存器命令可將狀態(tài)寄存器的數(shù)據(jù)讀出。下面簡(jiǎn)單介紹模式SPI0和模式SPI3的讀寫存儲(chǔ)單元和狀態(tài)寄存器指令。　　(1)讀狀態(tài)寄存器

　　發(fā)送命令字0XD7?？梢灾苯拥玫綘顟B(tài)字(一個(gè)字節(jié))，其格式如下：

讀狀態(tài)寄存器

　　其中RDY／BUSY為1時(shí)表示不忙，可以接收下一條指令；為0則表示忙。

　　設(shè)計(jì)時(shí)可通過讀狀態(tài)寄存器或SO端口來判斷前一條指令是否讀寫完畢。當(dāng)存儲(chǔ)器不忙時(shí)，SO端口從O變到1。此外，RDY／BUSY端口也可以用來判斷前一條指令是否讀寫完畢。

　　COMP用來指示主存儲(chǔ)單元數(shù)據(jù)和緩沖器中數(shù)據(jù)的比較結(jié)果：COMP為0表示相等。COMP為1表示不同。

　　Bit5一Bit2可表示存儲(chǔ)器的容量大小。

　　(2)讀存儲(chǔ)器指令

　　讀存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)有兩種方式，具體如圖1所示。其中一種是直接讀存儲(chǔ)器任意地址的數(shù)據(jù)，這可用指令D2H加3個(gè)字節(jié)的Dataflash地址再加上四個(gè)字節(jié)的空數(shù)據(jù)來實(shí)現(xiàn)，以SPI模式3為例，其工作時(shí)序如圖2所示。

讀存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)有兩種方式

工作時(shí)序

　　另一種是通過緩沖器1(2)來讀存儲(chǔ)器上某一頁的數(shù)據(jù)。該方式可分兩個(gè)步驟：一是將數(shù)據(jù)讀到數(shù)據(jù)緩沖器1(2)，即指令53H(55H)+3個(gè)字節(jié)的Dataflash中的頁地址(在任意SCK的模式下)；二是讀數(shù)據(jù)緩沖器1(2)，這可用指令D4H(D6H)+3個(gè)字節(jié)地址(主要表示從數(shù)據(jù)緩沖器的哪個(gè)地址開

始讀)+1個(gè)字節(jié)空數(shù)據(jù)來實(shí)現(xiàn)。以SPI模式3為例的讀數(shù)據(jù)緩沖器時(shí)序如圖3所示。

　　(3)向存儲(chǔ)器寫數(shù)據(jù)

　　寫存儲(chǔ)器也有兩種模式，具體如圖4所示。其中一種是通過緩沖器1(2)直接寫到存儲(chǔ)器中；另一種是先寫到緩沖器，再將緩沖器的數(shù)據(jù)寫到存儲(chǔ)器中。具體的命令過程如圖5所示。

　　上述幾個(gè)命令的格式都是一個(gè)字節(jié)的命令+3個(gè)字節(jié)的地址。

　　3 W77E58和AT45DB161B的接口電路

　　W77E58是華邦電子公司(WinBond)推出的高速增強(qiáng)型：MCS-51系列單片機(jī)。使用W77E58的系統(tǒng)速度要比傳統(tǒng)51系列單片機(jī)快2．5倍。工作頻率為40 MHz的W77E58相當(dāng)于100 MHz的8051，加上其內(nèi)置32 KB可重復(fù)編程的Flash EPROM和1KB用MOV指令訪問的內(nèi)部SRAM(節(jié)省了16條數(shù)據(jù)／地址I／O口線)，以及2個(gè)增強(qiáng)型全雙工串行口和較低的價(jià)格，W77E58無疑是一款高性能、多功能、的高集成度8位微控制器，非常適合高速、雙串口、外圍簡(jiǎn)捷、低成本系統(tǒng)。其抗干擾性能和加密性能相對(duì)也是比較好的[4]。

向存儲(chǔ)器寫數(shù)據(jù)