國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3 x 3封裝，為電信、網(wǎng)絡(luò)通信和高端臺(tái)式機(jī)及筆記本電腦應(yīng)用的DC-DC轉(zhuǎn)換器提供了高密度、可靠和高效率的解決方案。
IR的新款高性能PQFN 3 x 3封裝是生產(chǎn)技術(shù)改進(jìn)的成果，以全新緊湊的占位空間提供比標(biāo)準(zhǔn)PQFN 3 x 3器件高出多達(dá)60%的負(fù)載電流能力，同時(shí)極大地減少了整體封裝電阻，從而達(dá)到極低的導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 。除了低導(dǎo)通電阻，新的高性能PQFN封裝加強(qiáng)了熱傳導(dǎo)率并提高了可靠性，且符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)及MSL1濕度敏感性測(cè)試。
這一高性能PQFN封裝技術(shù)也適用于5 x 6 mm占位面積的器件，與標(biāo)準(zhǔn)PQFN 5 x 6 器件相比，在設(shè)計(jì)要求更多電流時(shí)無(wú)需增加額外占位面積。
該系列產(chǎn)品包括用作控制MOSFET的優(yōu)化器件，具有低柵極導(dǎo)通電阻 (Rg) ，以減少開(kāi)關(guān)損耗。在同步MOSFET應(yīng)用方面，新器件以FETKY (單片式FET及肖特基二極管) 配置形式提供，從而縮短反向恢復(fù)時(shí)間，以提高效率和EMI性能。
IR亞太區(qū)銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示：“全新系列高性能PQFN封裝器件專(zhuān)為DC-DC應(yīng)用優(yōu)化，是非常可靠且靈活的高密度解決方案。此外，隨著IR對(duì)PQFN產(chǎn)品的擴(kuò)展，客戶(hù)現(xiàn)在可以從眾多封裝組合中挑選出使他們的設(shè)計(jì)達(dá)到最佳效果的產(chǎn)品。”
新器件的高度小于1 mm，與現(xiàn)有表面貼裝技術(shù)兼容，并擁有行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳，還符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制指令 (RoHS) 。
產(chǎn)品規(guī)格
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器件編號(hào) |
封裝 |
BVDSS (V) |
最大VGS (V) |
在10V下典型/最大RDSon (mΩ) |
在4.5V下典型/最大RDSon (mΩ) |
在4.5V下典型Qg(nC) |
額外 芯片 功能 |
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IRFHM831 |
PQFN 3x3 |
30V |
±20V |
6.6 / 7.8 |
10.7 / 12.6 |
7.3 |
低Rg |
|
IRFHM830D |
PQFN 3x3 |
30V |
±20V |
3.4 / 4.3 |
5.7 / 7.1 |
13 |
FETky |
|
IRFHM830 |
PQFN 3x3 |
30V |
±20V |
3.0 / 3.8 |
4.8 / 6.0 |
15 |
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|
IRFH5303 |
PQFN 5x6 |
30V |
±20V |
3.6 / 4.2 |
5.7 / 6.8 |
15 |
低Rg |
|
IRFH5304 |
PQFN 5x6 |
30V |
±20V |
3.8 / 4.5 |
5.8 / 6.8 |
16 |
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IRFH5306 |
PQFN 5x6 |
30V |
±20V |
6.9 / 8.1 |
11.0 / 13.3 |
7.8 |
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IRFH5255 |
PQFN 5x6 |
25V |
±20V |
5.0 / 6.0 |
8.8 / 10.9 |
7.0 |
低Rg |
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IRFH5250D |
PQFN 5x6 |
25V |
±20V |
1.0 / 1.4 |
1.7 / 2.2 |
39 |
FETky |
新系列已接受批量訂單。相關(guān)數(shù)據(jù)及MOSFET產(chǎn)品選擇工具可通過(guò) IR 網(wǎng)站 www.irf.com供應(yīng)。
專(zhuān)利和商標(biāo)
IR®是國(guó)際整流器公司 (International Rectifier Corporation) 的注冊(cè)商標(biāo)。文中所提及其它產(chǎn)品名稱(chēng)均為對(duì)應(yīng)持有人所有的商標(biāo)。