《電子技術(shù)應用》
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具有自保護功能的IGBT厚膜集成電路HL402A(B)的原理及應用
摘要: 介紹了性能比進口IGBT厚膜驅(qū)動器更為優(yōu)良且具有保護功能的國產(chǎn)IGBT厚膜驅(qū)動器集成電路HL402A(B)的引腳排列、功能和用法,給出了其主要設(shè)計特點和電參數(shù)限制,剖析了它們的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理,最后給出了應用電路。
Abstract:
Key words :

  1引言

  絕緣柵控雙極型晶體管IGBT的驅(qū)動問題是制約IGBT應用的關(guān)鍵技術(shù)之一。驅(qū)動電路性能不好,常常會造成功率IGBT的擊穿和損壞。因此為解決IGBT的驅(qū)動問題,世界上各IGBT制造商都在生產(chǎn)IGBT的同時,配套生產(chǎn)了其專用柵極驅(qū)動集成電路或模塊。如西門康公司的SKHI21、 SKHI22驅(qū)動模塊、日本富士公司的EXB8系列、日本三菱公司的M579系列等。在國內(nèi)大家比較注意和應用較多的是日本富士公司的EXB840、 EXB850、EXB841和日本東芝公司的M57962L、M57959L,但這些驅(qū)動器在工作頻率超過30kHz時,其脈沖前后沿便變得較差,且內(nèi)部采用印刷電路板設(shè)計,因此散熱不是很好,加之提供負柵偏壓的穩(wěn)壓管被封裝在集成電路內(nèi)部,這樣就可能因該穩(wěn)壓管的損壞而使整個驅(qū)動芯片損壞,另外,由于穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值僅5V,這使得IGBT關(guān)斷時負偏壓偏低,從而導致該類柵極驅(qū)動芯片對IGBT驅(qū)動的不可靠,本文介紹的陜西高科電力電子有限責任公司生產(chǎn)的 HL402A(B)IG-BT驅(qū)動集成電路可以彌補EXB8系列和M579系列 IGBT驅(qū)動器的以上不足。

  2 HL402A(B)簡介

  HL402驅(qū)動器是國家“八五”攻關(guān)新成果,為國家級新產(chǎn)品。它具有先降柵壓、后軟關(guān)斷的雙重保護功能,其降柵壓延遲時間、降柵壓時間、軟關(guān)斷斜率均可通過外接電容器進行整定,因而能適應不同飽和壓降IGBT的驅(qū)動和保護。它的研制成功填補了國內(nèi)空白,達到了國際90年代的先進水平。

  2.1引腳排列及功能

  HL402的外形尺寸及引腳排列如圖1所示。它采用單列直插式標準17引腳厚膜集成電路封裝,共有15個引腳。各引腳的功能如下:

  ●引腳17:內(nèi)置靜電屏蔽層的高速光耦合器陽極連接端。應用中通過一電阻接正電源,亦可通過一電阻接用戶脈沖形成單元輸出端,要求提供的電流幅值為12mA,無論是接用戶脈沖形成部分的輸出還是接正電源,串入的電阻值均可按下式計算:

  R=VIN-2V/12mA(kΩ)

  ●引腳16:內(nèi)置靜電屏蔽層的高速光耦合器陰極連接端。應用中直接接用戶脈沖形成部分的輸出(當引腳17通過電阻接正電源時),亦可直接與控制脈沖形成部分的地相連接(當引腳17接脈沖形成部分的脈沖輸出時)。

  ●引腳2:被驅(qū)動的IGBT脈沖功率放大輸出級正電源連接端。應用中接驅(qū)動輸出級電源,要求提供的電壓為25~28V。

  ●引腳4:被驅(qū)動的IGBT脈沖功率放大輸出級正電源參考地端。

  ●引腳5、10:為軟關(guān)斷斜率電容器C5連接端(其引腳10在HL202內(nèi)部已與引腳4接通)。該兩端所接電容量的大小決定著被驅(qū)動的IGBT軟關(guān)斷斜率的快慢,推薦值為1000~3000pF。

  ●引腳11、10:降柵壓延遲時間電容器C6的連接端。該兩端所接電容器電容量的大小決定著降柵壓延遲時間的長短,該電容的推薦值為0~200pF,當該電容的容量較大時,短路電流峰值也較大,所以此電容一般可不接。

  ●引腳12、10:降柵壓時間定時電容器C7的連接端。當該電容器較大時,經(jīng)過較長的降柵壓時間后,被驅(qū)動的IGBT才關(guān)斷,這意味著造成被驅(qū)動的IGBT損壞的危險性將增加。所以C7的值不能取得太大,但也不能取得太小,過小的C7將造成被驅(qū)動的IGBT快速降柵壓后關(guān)斷,這有可能導致回路中的電感因被驅(qū)動的IGBT快速關(guān)斷而引起過高的尖峰過電壓,從而擊穿被驅(qū)動的IGBT,所以C7的取值要適當,一般推薦值為510~1500pF。

  ●引腳1:驅(qū)動輸出脈沖負極連接端。使用時,接被驅(qū)動IGBT的發(fā)射極。

  ●引腳3:驅(qū)動輸出脈沖正極連接端。使用中經(jīng)電阻RG后直接接被驅(qū)動IGBT的柵極。電阻RG的取值隨被驅(qū)動IGBT容量的不同而不同,當被驅(qū)動的IGBT為50A/1200V時,RG的典型值應為0~20Ω/1W。

  ●引腳9:降柵壓信號輸入端。使用中需經(jīng)快恢復二極管接至被驅(qū)動IGBT的集電極,當需要降低動作門限電壓值時,可再反串一個穩(wěn)壓二極管(穩(wěn)壓管的陰極接引腳9)。需要注意的是:該快恢復二極管必須是高壓、超高速快恢復型,其恢復時間應不超過50ns,經(jīng)反串穩(wěn)壓二極管后,原來的動作門限電壓(8.5V)減去穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值即為新的門限電壓。降柵壓功能可通過將引腳13與引腳10相短接而刪除。

  ●引腳6:軟關(guān)斷報警信號輸出端,最大負載能力為20mA。它可作為被驅(qū)動的輸入信號的封鎖端,可通過光耦合器(引腳6接光耦合器陰極)來封鎖控制脈沖形成部分的脈沖輸出,亦可通過光耦合器來帶動繼電器,從而分斷被驅(qū)動IGBT所在的主電路。

  ●引腳8:降柵壓報警信號輸出端,最大輸出電流為5mA。該端可通過光耦合器(引腳8接光耦合器陰極)來封鎖控制脈沖形成部分的脈沖輸出,亦可通過光耦合器來帶動繼電器,從而分斷被驅(qū)動的IGBT所在的主回路。

  ●引腳5:軟關(guān)斷斜率電容器C5的接線端及驅(qū)動信號的封鎖信號引入端。使用中,可通過光耦合器的二次側(cè)并聯(lián)在C5兩端(集電極接引腳5,發(fā)射極接引腳10,發(fā)光二極管接用戶集中封鎖信號輸入)來直接封鎖被驅(qū)動IGBT的脈沖輸出。

  ●引腳7:空腳,使用時懸空。

  

  1引言

  絕緣柵控雙極型晶體管IGBT的驅(qū)動問題是制約IGBT應用的關(guān)鍵技術(shù)之一。驅(qū)動電路性能不好,常常會造成功率IGBT的擊穿和損壞。因此為解決IGBT的驅(qū)動問題,世界上各IGBT制造商都在生產(chǎn)IGBT的同時,配套生產(chǎn)了其專用柵極驅(qū)動集成電路或模塊。如西門康公司的SKHI21、 SKHI22驅(qū)動模塊、日本富士公司的EXB8系列、日本三菱公司的M579系列等。在國內(nèi)大家比較注意和應用較多的是日本富士公司的EXB840、 EXB850、EXB841和日本東芝公司的M57962L、M57959L,但這些驅(qū)動器在工作頻率超過30kHz時,其脈沖前后沿便變得較差,且內(nèi)部采用印刷電路板設(shè)計,因此散熱不是很好,加之提供負柵偏壓的穩(wěn)壓管被封裝在集成電路內(nèi)部,這樣就可能因該穩(wěn)壓管的損壞而使整個驅(qū)動芯片損壞,另外,由于穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值僅5V,這使得IGBT關(guān)斷時負偏壓偏低,從而導致該類柵極驅(qū)動芯片對IGBT驅(qū)動的不可靠,本文介紹的陜西高科電力電子有限責任公司生產(chǎn)的 HL402A(B)IG-BT驅(qū)動集成電路可以彌補EXB8系列和M579系列 IGBT驅(qū)動器的以上不足。

  2 HL402A(B)簡介

  HL402驅(qū)動器是國家“八五”攻關(guān)新成果,為國家級新產(chǎn)品。它具有先降柵壓、后軟關(guān)斷的雙重保護功能,其降柵壓延遲時間、降柵壓時間、軟關(guān)斷斜率均可通過外接電容器進行整定,因而能適應不同飽和壓降IGBT的驅(qū)動和保護。它的研制成功填補了國內(nèi)空白,達到了國際90年代的先進水平。

  2.1引腳排列及功能

  HL402的外形尺寸及引腳排列如圖1所示。它采用單列直插式標準17引腳厚膜集成電路封裝,共有15個引腳。各引腳的功能如下:

  ●引腳17:內(nèi)置靜電屏蔽層的高速光耦合器陽極連接端。應用中通過一電阻接正電源,亦可通過一電阻接用戶脈沖形成單元輸出端,要求提供的電流幅值為12mA,無論是接用戶脈沖形成部分的輸出還是接正電源,串入的電阻值均可按下式計算:

  R=VIN-2V/12mA(kΩ)

  ●引腳16:內(nèi)置靜電屏蔽層的高速光耦合器陰極連接端。應用中直接接用戶脈沖形成部分的輸出(當引腳17通過電阻接正電源時),亦可直接與控制脈沖形成部分的地相連接(當引腳17接脈沖形成部分的脈沖輸出時)。

  ●引腳2:被驅(qū)動的IGBT脈沖功率放大輸出級正電源連接端。應用中接驅(qū)動輸出級電源,要求提供的電壓為25~28V。

  ●引腳4:被驅(qū)動的IGBT脈沖功率放大輸出級正電源參考地端。

  ●引腳5、10:為軟關(guān)斷斜率電容器C5連接端(其引腳10在HL202內(nèi)部已與引腳4接通)。該兩端所接電容量的大小決定著被驅(qū)動的IGBT軟關(guān)斷斜率的快慢,推薦值為1000~3000pF。

  ●引腳11、10:降柵壓延遲時間電容器C6的連接端。該兩端所接電容器電容量的大小決定著降柵壓延遲時間的長短,該電容的推薦值為0~200pF,當該電容的容量較大時,短路電流峰值也較大,所以此電容一般可不接。

  ●引腳12、10:降柵壓時間定時電容器C7的連接端。當該電容器較大時,經(jīng)過較長的降柵壓時間后,被驅(qū)動的IGBT才關(guān)斷,這意味著造成被驅(qū)動的IGBT損壞的危險性將增加。所以C7的值不能取得太大,但也不能取得太小,過小的C7將造成被驅(qū)動的IGBT快速降柵壓后關(guān)斷,這有可能導致回路中的電感因被驅(qū)動的IGBT快速關(guān)斷而引起過高的尖峰過電壓,從而擊穿被驅(qū)動的IGBT,所以C7的取值要適當,一般推薦值為510~1500pF。

  ●引腳1:驅(qū)動輸出脈沖負極連接端。使用時,接被驅(qū)動IGBT的發(fā)射極。

  ●引腳3:驅(qū)動輸出脈沖正極連接端。使用中經(jīng)電阻RG后直接接被驅(qū)動IGBT的柵極。電阻RG的取值隨被驅(qū)動IGBT容量的不同而不同,當被驅(qū)動的IGBT為50A/1200V時,RG的典型值應為0~20Ω/1W。

  ●引腳9:降柵壓信號輸入端。使用中需經(jīng)快恢復二極管接至被驅(qū)動IGBT的集電極,當需要降低動作門限電壓值時,可再反串一個穩(wěn)壓二極管(穩(wěn)壓管的陰極接引腳9)。需要注意的是:該快恢復二極管必須是高壓、超高速快恢復型,其恢復時間應不超過50ns,經(jīng)反串穩(wěn)壓二極管后,原來的動作門限電壓(8.5V)減去穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值即為新的門限電壓。降柵壓功能可通過將引腳13與引腳10相短接而刪除。

  ●引腳6:軟關(guān)斷報警信號輸出端,最大負載能力為20mA。它可作為被驅(qū)動的輸入信號的封鎖端,可通過光耦合器(引腳6接光耦合器陰極)來封鎖控制脈沖形成部分的脈沖輸出,亦可通過光耦合器來帶動繼電器,從而分斷被驅(qū)動IGBT所在的主電路。

  ●引腳8:降柵壓報警信號輸出端,最大輸出電流為5mA。該端可通過光耦合器(引腳8接光耦合器陰極)來封鎖控制脈沖形成部分的脈沖輸出,亦可通過光耦合器來帶動繼電器,從而分斷被驅(qū)動的IGBT所在的主回路。

  ●引腳5:軟關(guān)斷斜率電容器C5的接線端及驅(qū)動信號的封鎖信號引入端。使用中,可通過光耦合器的二次側(cè)并聯(lián)在C5兩端(集電極接引腳5,發(fā)射極接引腳10,發(fā)光二極管接用戶集中封鎖信號輸入)來直接封鎖被驅(qū)動IGBT的脈沖輸出。

  ●引腳7:空腳,使用時懸空。

  

  2.2工作原理

  HL402的原理框圖如圖2所示。圖中,VL1為帶靜電屏蔽的光耦合器,用來實現(xiàn)與輸入信號的隔離。由于它具有靜電屏蔽功能,因而顯著提高了HL402的抗共模干擾能力。圖中的V2為脈沖放大器,晶體管V3、V4可用于實現(xiàn)驅(qū)動脈沖功率放大,V5為降柵壓比較器,正常情況下由于引腳9輸入的IGBT集電極電壓VCE不高于V5的基準電壓VREF而使得V5不翻轉(zhuǎn),晶體管V6不導通,故從引腳17、16輸入的驅(qū)動脈沖信號經(jīng)V2整形后不被封鎖。該驅(qū)動脈沖經(jīng)V3、V4放大后提供給被驅(qū)動的IGBT以使之導通或關(guān)斷。一旦被驅(qū)動的IGBT退飽和,則引腳9輸入的集電極電壓取樣信號VCE將高于V5的基準電壓VREF,從而使比較器V5翻轉(zhuǎn)后輸出高電平,使晶體管V6導通,并由穩(wěn)壓管VD2將驅(qū)動器輸出的柵極電壓VGE降低到10V。此時,軟關(guān)斷定時器V8在降柵壓比較器V5翻轉(zhuǎn)達到設(shè)定的時間后,輸出正電壓使晶體管V7導通,并將柵極電壓關(guān)斷降到IGBT的柵極-發(fā)射極門檻電壓,以便給被驅(qū)動的IGBT提供一個負的驅(qū)動電壓,從而保證被驅(qū)動的IGBT可靠關(guān)斷。

  

  3 主要參數(shù)

  由于HL402內(nèi)含一個具有靜電屏蔽層的高速光耦合器,因而可以實現(xiàn)信號隔離,它抗干擾能力強,響應速度快,隔離電壓高。并具有對被驅(qū)動功率IGBT進行降柵壓、軟關(guān)斷的雙重保護功能。在軟關(guān)斷及降柵壓的同時還將輸出報警信號,以實現(xiàn)對封鎖脈沖或分斷主回路的保護。它的輸出驅(qū)動電壓幅值很高,其正向驅(qū)動電壓可達15~17V,負向驅(qū)動電壓可達10~12V,因而可用來直接驅(qū)動容量為 150A/1200V以下的功率IGBT。

  3.1 極限參數(shù)

  HL402的極限參數(shù)如下:

  ●供電電壓VC:30V(VCC為15~18V,VEE為-10~-12V);

  ●光耦輸入峰值電流If:20mA;

  ●正向輸出電流+IG:2A(脈寬<2μs、頻率為40kHz、占空比<0.05時);

  ●負向輸出電流-IG:2A(脈寬<2μs、頻率為40kHz、占空比<0.05時);

  ●輸入、輸出隔離電壓Viso:2500V(工頻1min)。

  HL402的電源電壓VC的推薦值為25V(VCC=+15V,VEE=10V);光耦合器輸入峰值電流If為10~12mA。

  3.2主要電參數(shù)

  下面是HL402的主要電參數(shù):

  ●輸出正向驅(qū)動電壓+VG:≥VCC-1V;

  ●輸出負向驅(qū)動電壓-VC:≥VEE-1V;

  ●輸出正向電壓響應時間tON≤1μs(輸入信號上升沿<0.1μs,If=0→10mA);

  ●輸出負電壓響應時間toff≤1μs(輸入下降沿<0.1μs,If=10→0mA);

  ●軟關(guān)斷報警信號延遲時間tALM1:<1μs(不包括光耦合器LV3的延遲),輸出電流<20mA;

  ●降柵壓報警信號延遲時間tALM2:<1μs(不包括光耦合器LV2的延遲),輸出電流<5mA;

  ●降柵壓動作門檻電壓VCE:8±0.5V;

  ●軟關(guān)斷動作門檻電壓VCE:8.5±0.8V;

  ●降柵壓幅值:8~10V。

  4 典型應用電路

  HL402的典型接線如圖3所示。但圖中的C1、C2、C3、C4應盡可能地靠近引腳2、1、4安裝。

  

  為盡可能避免高頻耦合及電磁干擾,由HL402輸出到被驅(qū)動IGBT柵-射極的引線應采用雙絞線或同軸電纜屏蔽線,其引線長度應不超過1m。

  由HL402的引腳9、13接至IGBT集電極的引線必須單獨分開走,不得與柵極和發(fā)射極引線絞合,以免引起交叉干擾。

  在圖3典型接線圖中,光耦合器VL1可輸入脈沖封鎖信號,當VL1導通時,HL402輸出脈沖將立即被封鎖至-10V。光耦合器VL2用于提供軟關(guān)斷報警信號,它在驅(qū)動器軟關(guān)斷的同時還將導通光耦合器VL3,以提供降柵壓報警信號。

  在不需封鎖和報警信號時,VL1、VL2及VL3可不接。

  在高頻應用時,為了避免IGBT受到多次過電流沖擊,可在光耦合器VL2輸出數(shù)次或一次報警信號后,將輸入引腳16、17間的信號封鎖。

  使用中,通過調(diào)整電容器C5、C6、C7的值,可以將保護波形中的降柵壓延遲時間t1、降柵壓時間t2、軟關(guān)斷斜率時間t3調(diào)整至合適的值。

  對于低飽和壓降的IGBT(VCES≤2.5V),可不接降柵壓延遲時間電容器C6,這樣可使降柵壓延遲時間t1最小。在這種情況下,當降柵壓時間定時電容器C7為750pF時,可得到的降柵壓定時時間為6μs。軟關(guān)斷斜率電容C5可取100pF左右,由此決定的軟關(guān)斷時間t3為2μs。

  對于中飽和壓降的IGBT(2.5≤VCES≤3.5V),一般推薦C6取0~100pF,降柵壓延遲時間t1為1μs,在C5取1500pF,C7取1000pF時,降柵壓時間t2為8μs,而軟關(guān)斷時間t3為3μs。

  對于高飽和壓降的IGBT(VCES≥3.5V),C5、C6、C7的推薦值分別為:C5取3000pF,C6取200pF,C7取1200pF,此時降柵壓延遲時間t1約為2μs,降柵壓時間t2約為10μs,軟關(guān)斷時間t3約為4μs。

  在高頻使用場合,出現(xiàn)軟關(guān)斷時能夠封鎖輸入信號的應用電路如圖4所示。圖中,LM555在電源合閘時置“1”,輸入信號VIN通過與門4081進入HL402的引腳17、16。當出現(xiàn)軟關(guān)斷時,光耦合器VL1導通,晶體管V2截止,V2集電極電壓經(jīng)10kΩ電阻、330pF電容延遲5μs后,使LM555置“0”,并通過與門4081將輸入信號封鎖。此電路延遲5μs動作是為了使IGBT軟關(guān)斷后再停止輸入信號,以避免立即停止輸入信號而可能造成的硬關(guān)斷。圖中,C1、C3的典型值為0.1μF,C2、C4為100μF/25V,VD4、VD5可取0.5V。

  

  5 其它應用電路

  HL402的優(yōu)良性能決定了它可在一切主功率器件為IGBT的電力電子變流系統(tǒng)中用作驅(qū)動電路,以完成對IGBT的最優(yōu)驅(qū)動,防止IGBT因驅(qū)動電路不理想而造成損壞。本文列舉幾個例子來說明其在電力電子變流系統(tǒng)中的應用。

  5.1開關(guān)電源系統(tǒng)中的應用電路

  功率開關(guān)電源是通信、郵電、電力等領(lǐng)域的常用設(shè)備。過去,開關(guān)電源的主功率器件一般都用MOS-FET,由于半導體材料及工藝水平的制約,至今功率 MOSFET要么就是低壓大電流(如200A、50V),要么就是高壓小電流(如10A、1000V),這就為制作大功率開關(guān)電源應用功率IGBT展現(xiàn)了廣闊的前景。圖5給出了應用四只HL402來完成開關(guān)電源系統(tǒng)中四只功率IGBT驅(qū)動的開關(guān)電源系統(tǒng)電路原理圖。圖中IGBT的驅(qū)動脈沖由SG3526來產(chǎn)生,HL為霍爾電流傳感器,可用來進行過電流及短路等故障保護。

  

  5.2直流斬波電源系統(tǒng)中的應用

  直流斬波系統(tǒng)是直流調(diào)速系統(tǒng)中的常用方案,隨著功率IGBT容量的不斷擴大,HL402在直流斬波系統(tǒng)中的應用展現(xiàn)了廣闊的前景。它可在此類系統(tǒng)中完成功率IGBT的驅(qū)動。圖6給出了直流斬波調(diào)速系統(tǒng)中應用HL402驅(qū)動IGBT的原理圖。該系統(tǒng)是閉環(huán)穩(wěn)速系統(tǒng),其速度的反饋信號來自測速傳感器。可通過調(diào)節(jié)PWM調(diào)制器TL494輸出的PWM脈沖寬度來實現(xiàn)直流電動機轉(zhuǎn)速的調(diào)節(jié),這使得本系統(tǒng)電路可獲得很寬的調(diào)速范圍和較高的調(diào)速精度。

  

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