工業自動化最新文章 英國監管機構啟動對Synopsys以350億美元收購Ansys的交易調查 8月14日 據外媒報道，針對美國電子設計自動化軟件供應商Synopsys（新思科技）此前宣布以350億美元收購工程模擬和3D設計軟件公司Ansys的交易，英國競爭與市場管理局(CMA)日前已展開調查。 作為英國競爭監管機構，CMA正在考慮該交易是否會根據《2002年企業法》的合并條款造成相關合并的情況，即這筆擬議的交易是否會導致英國任何服務或商品市場的競爭大幅減少。 為了幫助評估，CMA正在征求有關各方對此次擬議收購交易的意見。提交意見的最后日期將由英國反壟斷監管機構確認。第一階段決定和啟動合并調查的截止日期尚未得到反壟斷監管機構的確認。 發表于：8/14/2024 Intel拋售全部Arm持股籌集約1.47億美元 Intel拋售全部Arm持股！籌集約1.47億美元 發表于：8/14/2024 SK海力士將轉向4F2結構的3D DRAM 為降低EUV光刻成本，SK海力士將轉向“4F2”結構的3D DRAM 發表于：8/14/2024 LG Display決定向TCL華星出售廣州8.5代LCD工廠 LG Display決定向TCL華星出售廣州8.5代LCD工廠 發表于：8/14/2024 SK海力士DDR5被曝漲價15~20% 8 月 13 日消息，華爾街見聞報道稱，SK 海力士已將其 DDR5 DRAM 芯片提價 15%-20%。供應鏈人士稱，海力士 DDR5 漲價主要是因為 HBM3/3E 產能擠占。 今年 6 月就有消息稱 DDR5 價格在今年有著 10%-20% 上漲空間：各大廠商已為 2024 年 DDR5 芯片分配產能，這表明價格已經不太可能下降；再加上下半年是傳統旺季，預計價格會有所上漲。 發表于：8/14/2024 HBM帶動三大內存原廠均躋身2024Q1半導體IDM企業營收前四 8 月 13 日消息，據 IDC 北京時間本月 7 日報告，三大內存原廠三星電子、SK 海力士、美光分列 2024 年一季度半導體 IDM（注：整合組件制造）企業營收榜單第 1、3、4 位，第二位則是英特爾。 發表于：8/14/2024 寧德時代全固態電池2027年有望小批量生產 寧德時代：全固態電池技術我們行業領先 2027年有望小批量生產 發表于：8/14/2024 英飛凌推出PSOC? Control MCU系列 【2024年8月13日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼： IFNNY）近日推出全新PSOC? Control微控制器（MCU）系列。該系列適用于新一代工業和消費電機控制以及功率轉換系統應用，包括家用電器、電動工具、可再生能源產品、工業驅動器，以及照明和計算/通信電源等。 發表于：8/13/2024 復旦團隊國際首次驗證超快閃存集成工藝 8 月 13 日消息，據復旦大學官方今日消息，人工智能的飛速發展迫切需要高速非易失存儲技術。當前主流非易失閃存的編程速度在百微秒級，無法支撐應用需求。復旦大學周鵬-劉春森團隊前期研究表明二維半導體結構能夠將速度提升一千倍以上，實現顛覆性的納秒級超快存儲閃存。然而，如何實現規模集成、走向實際應用極具挑戰。 從界面工程出發，復旦大學團隊在國際上首次驗證了 1Kb 超快閃存陣列集成驗證，并證明了超快特性可延伸至亞 10 納米尺度。北京時間 8 月 12 日下午 5 點，相關成果以《二維超快閃存的規模集成工藝》（“A scalable integration process for ultrafast two-dimensional flash memory”）為題發表于國際頂尖期刊《自然-電子學》（Nature Electronics），DOI: 10.1038 / s41928-024-01229-6。 發表于：8/13/2024 把兩塊芯片壓成一塊：EUV以來半導體制造的最大創新 把兩塊芯片壓成一塊：EUV以來半導體制造的最大創新 發表于：8/13/2024 傳臺積電將在高雄建設1.4nm晶圓廠 因應全球芯片訂單及AI快速發展，臺積電持續尋覓可用廠區土地，將最先進制程技術留在臺灣發展。高雄楠梓園區除3座2納米技術晶圓廠外，還有基地可容納2納米以下技術設廠需求。據悉，高雄市府已超前部署，鎖定A14（14埃米）制程，盤點次世代先進技術生產土地及水電供給，作為臺積電堅強后盾。 針對臺積電將于高雄擴大埃米制程布局，公司低調表示不回應市場傳言。 發表于：8/13/2024 消息稱三星電子確認平澤P4工廠1c nm DRAM內存產線投資 8 月 12 日消息，韓媒 ETNews 報道稱，三星電子內部已確認在平澤 P4 工廠建設 1c nm DRAM 內存產線的投資計劃，該產線目標明年 6 月投入運營。 平澤 P4 是一座綜合性半導體生產中心，分為四期。在早前規劃中，一期為 NAND 閃存，二期為邏輯代工，三期、四期為 DRAM 內存。三星已在 P4 一期導入 DRAM 生產設備，但擱置了二期建設。 而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 級內存工藝，各家的 1c nm（或對應的 1γ nm）產品目前均尚未正式發布。韓媒在報道中稱，三星電子計劃在今年底啟動 1c nm 內存生產。 發表于：8/13/2024 美光加碼投資臺灣建立第二研發中心 美光總裁暨CEO Sanjay Mehrotra今年7月訪問中國臺灣，將帶來更進一步合作，例如在人工智能（AI）應用扮演重要角色的高帶寬存儲器（HBM）。據悉，美光將加碼在中國臺灣投資，除制造HBM先進制程外，不排除有機會在中國臺灣創建第二個研發中心。 發表于：8/13/2024 武漢光谷實驗室研發量子點光刻膠 8 月 13 日消息，武漢光谷實驗室宣布與華中科技大學等研究團隊合作研發出高性能量子點光刻膠（QD-PR），其藍光轉換效率達到 44.6%（綠色）和 45.0%（紅色），光刻精度達到 1 μm，各項性能指標為行業領先水平。 發表于：8/13/2024 日本研究團隊提出EUV光刻新方案 日本提出EUV光刻新方案：光源功率可降低10倍，成本將大幅降低！ 發表于：8/13/2024 ?…115116117118119120121122123124…?
